ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Моделирование экспонировании и проявлении из "Светочувствительные полимерные материалы" Если экспонироваиие — оптический процесс, который изменяет компоненты фоторезиста химически, то проявление — поверхностное растворение и удаление фоторезиста со скоростью, зависящей от степени превращения ингибитора растворения. [c.53] Пленка поволака растворяется в обычном щелочном проявителе со скоростью 15 нм/с, в присутствии ингибитора—светочувствительного компонента (обычно 25—30 %) растворимость пленки снижается до 0,1—0,2 нм/с. Очевидно, отношение растворимостей иоволака без и с ингибитором растворения составляет 75—100. Свет в области 200—450 нм разлагает ингибитор и вызывает повышение скорости растворен ия экспонированного слоя до 100—200 нм/с в зависимости от доли неразложившегося ингибитора. [c.53] Была выбрана модель, дающая взаимосвязь не только между экспозицией и скоростью растворения (скоростью проявления), но и между этими параметрами и профилем слоя резиста. Поглощение света в слое толщиной d d = 0, 1 является функцией молярных коэффициентов поглощения ингибитора a , ново-лака aj и продуктов фотолиза а . Авторы предположили, что доля непрореагировавшего ингибитора M d,t), в момент времени t является функцией параметров А, являющегося функцией поглощенного излучения В, не зависящего от поглощенного излучения, и С, являющегося функцией светочувствительности. Параметры А, В и С являются такм е функциями длины волны света. Скорость проявления R зависит от химического состава резиста, величины М п состава проявителя. Для постоянных условий удалось в итоге вывести функцию i = f(M), которая описывает проявление конкретного резиста в данном проявителе. [c.53] Условием адекватности модели является однородность нанесения слоя резиста на подложку и изотропность его свойств. [c.53] На показатель преломления и абсорбционную способность слоя не должно оказывать влияние рассеяние света. В этом случае существует линейная зависимость пропускания слоя от толщины слоя резиста, что соответствует закону Ламберта — Бера. В изучаемом диапазоне длин волн актиничного света ингибитор должен заметно поглощать. Поглощение света при разложении ингибитора такхсе должно отвечать закону Ламберта — Бера. Хотя были обнаружены отклонения от этого закона, нх относят к крайним условиям экспонирования и не учитывают при практическом использовании фоторезиста [84]. Поэтому принимают, что выполняется простое соотношение (I. 19) между количеством экспонирующего света н химическим изменением, вне зависимости от интенсивности облучения (взаимозаместимость) [85]. Для исключения отражения от подложки прн моделировании в качестве подложки было использовано стекло с тем же показателем преломления, что и у резиста Пв 1,70 при 404,7 нм), кроме того, на нижнюю сторону стеклянной подложки был нанесен слой фторида магния толщиной Х1А для исключения отражения от нижней стороны подложки. [c.54] Было создано специальное устройство, позволяющее непосредственно определять толщину слоя резиста в процессе проявления в зависимости от времени [83]. Измерение толщины основано на интерференционном принципе с использованием света с длиной волны 550—800 нм, в процессе опыта проводится 200—500 измерений. [c.56] Автоматизация всех аналитических определений весьма упрощает нахождение R. [c.56] Эту простую модель можно распространить и на системы, где имеет место отражение от подложки и границы резнст — воздух, т. е. интерференционный эффект, и таким образом получить характеристики профиля рельефа. Ее использование в проекционном экспонировании [35] требует учитывать в расчетах неоднородность интенсивности света в слое резиста и соответствующую ей неоднородность концентрации ингибитора. [c.56] Модель экспонирования негативного фоторезиста и математическую обработку процесса структурирования в зависимости от распределения молекулярной. массы фотополимера предложили Райзер и Питтс [88]. [c.56] Вернуться к основной статье