ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Гранные и негранные формы роста из "Высокотемпературная кристаллизация из расплава" Частица должна преодолеть потенциальный барьер с энергией активации определяемой конфигурацией ионов в расплаве. На фазовой границе этот барьер характеризуется ближним порядком расплава и дальним порядком кристалла. Очевидно, что более сложные частицы, например, комплексные ионы не могут присоединиться к кристаллу произвольно. Они должны преодолеть определенный потенциальный барьер, имеющий энтропийную природу. [c.31] Известен еще один механизм роста, обусловленный наличием винтовых дислокаций [36]. Этот механизм, однако, наиболее часто встречается при кристаллизации из раствора и раствора в расплаве [37] и практически не встречается при кристаллизации из расплава. [c.31] На рис. 17 изображено продольное сечение монокристалла иттрий-алюминиевого граната. Благодаря зонам роста видна геометрическая особенность фронта роста, представляющая собой систему гранных и негранных форм. Экспериментально было обнаружено, что расположение указанных форм в сильной степени зависит от метода выращивания монокристаллов и формы фронта роста. Если фронт роста выпуклый в сторону расплава, то в случае метода Бриджмена гранные формы преимущественно располагаются на периферии кристалла, в то время как в случае метода Чохральского — в центре. При вогнутом фронте роста картина противоположная. И только в случае плоского фронта роста гранные формы не наблюдаются, поскольку фронт роста можно представить как одну грань. [c.31] Согласно (2.4), переход от механизма атомно-гладкой к механизму атомно-шероховатой поверхности возможен путем увеличения осевого градиента температуры Аналогичный переход, однако, возможен путем уменьшения величины переохлаждения на фронте роста за счет глубокой химической очистки исходного вещества. Такую очистку не всегда можно осуществить, особенно если вещество химически непрочное. Аналогичного эффекта можно также достичь при /-ф оо, то есть в случае плоского фронта роста. К сожалению, из-за изменяющихся условий роста обеспечить плоский фронт на протяжении всего процесса кристаллизации практически невозможно. [c.32] Вернуться к основной статье