ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Зонная плавка из "Высокотемпературная кристаллизация из расплава" Как отмечалось выше, в зошюй плавке так же, как и в методе Вернейля, используется ограниченный объем расплава. Зонная плавка получила развитие в связи с химической очисткой исходного вещества от посторонних примесей [97]. Обычно с помощью высокочастотного нагрева создается узкая зона расплава, а затем путем перемещения слитка или индуктора (при высокочастотном нагреве) производится его перекристаллизация. Требуемого результата добиваются многократным повторением процесса. При определенных условиях с помощью зонной плавки можно также создать равномерное распределение примеси вдоль слитка. Зачастую зонную плавку используют при выращивании монокристаллов термически неустойчивых веществ. Сводя к минимуму ширину зоны расплава, удается значительно уменьшить время пребывания исходного вещества в расплавленном состоянии. [c.94] Очевидно, что этот способ возможен только при кристаллизации электропроводящих магнитоактивных материалов. Для выращивания монокристаллов с заданной кристаллографической ориентацией используется затравочный монокристалл, который закрепляется в нижней цанге механизма перемещения. В верхней цанге строго вертикально по оси затравочного монокристалла закрепляется исходный слиток. Между затравочным кристаллом и слитком задается зазор (до 10 мм). В этом зазоре одновременно расплавляются равные части затравочного кристалла и поликристалличе-ского слитка. Путем движения зоны расплава осуществляется кристаллизация. [c.94] Вернуться к основной статье