ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Электропроводность из "Физические свойства алмаза" Кристаллы алмаза в основном являются хорошими диэлектриками. Проводимость кристаллов алмаза, содержащих определенное количество примесей и дефектов структуры, может изменяться в широких пределах. Для беспримесных кристаллов, как следует из теоретического расчета [280], удельное сопротивление составляет 10 Ом см. В кристаллах со значительным количеством примесей удельное сопротивление может понизиться до 10 Ом см. Примеси и дефекты создают в запрещенной зоне целый спектр локальных энергетических состояний. Уровни некоторых из них приведены в табл. 39. Наличие этих примесей оказывает существенное влияние на электрофизические свойства алмаза. [c.82] Примечание. Энергия отсчитывается от верхнего края валентной зоны энергия Е[) — от нижнего края зоны проводимости. [c.82] ГЗ При температуре 300 К удельное сопротивление р большинства кристаллов природного алмаза составляет 101 — 10 Ом см. [c.82] Электросопротивление полупроводниковых природных алмазов, относящихся к типу Ий, составляет 10—10 Ом см. [c.82] Из измерений фотопроводимости, а также зависимости сопротивления от температуры для алмаза типа Ь было получено значение глубины залегания азотного донора (1,7 эВ ниже зоны проводимости, см. табл. 39) [305] (см. также 374]). [c.82] Ионизационная энергия донорного центра 4,05 эВ связывается с агрегатными азотными центрами (см. табл. 39). Знак доминирующих носителей тока в полупроводниковых алмазах определяется с помощью эффекта Холла, а в отдельных случаях — из измерений термо-ЭДС [374]. [c.82] Значение энергии активации для донорного центра лития получено (см. табл. 39) на алмазах, подвергавшихся ионной бомбардировке [34]. [c.83] Подвижность электронов в алмазе, определенная с помощью эффекта Холла, равна 1800 mVB с, а для дырок — 1500 см /В с. [c.83] Эффективные массы легких дырок т = (0,70 0,01) о при Н = = 1.748 Тл, т = (1,06 0,04) то при // = 2,785 Тл. [c.84] Для тяжелых дырок т = 2,12 (см. (35 ). Эффективная масса электрона вблизи края зоны проводимости т 0,2т . Во всех приведенных выражениях Шц — масса свободного электрона. [c.84] Дырочная проводимость в алмазах типа 1 с энергией активации, приближенно равной 0,3 эВ, в [176] связывалась с дислокациями, которые и дают акцепторные центры. [c.84] Вернуться к основной статье