ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Методы наблюдения из "Химические и физические свойства углерода" Дислокации в графите изучены многими почти всеми известными методами, вплоть до непосредственного визуального наблюдения [21]. [c.22] Первое указание на наличие дислокаций с вектором Бюргерса, имеющим компоненту вдоль оси с, дало оптическое изучение топографии поверхности естественных граней кристаллов графита [10]. Для обнаружения мест возникновения дислокаций в плоскости с были затем использованы участки, выжженные травлением [22]. Методы декорирования использовали и в электронной микроскопии [23]. Однако наиболее подробную информацию дал, несомненно, метод электронной микроскопии на просвет . Вследствие малого коэффициента поглощения электронов графит является весьма подходящим материалом для использования указанного метода. К тому же, тонкие пленки графита приготовить совсем легко, так как можно осуществлять очень тонкое скольжение слоев. В связи с высокой термостойкостью, хорошей тепло- и электропроводностью тонкие слои графита в электронном микроскопе совершенно стабильны. Для облегчения анализа наблюдаемых дислокаций целесообразно дать краткое изложение механизма возникновения контраста в электронном микроскопе. Это позволит обосновать выводы, вытекающие из изучения электронных микрофотографий графита. [c.23] Наблюдаемый в электронном микроскопе контраст на дислокациях является результатом дифракции электронов [21]. Представим себе (рис. 10) тонкую пластинку, содержащую краевую дислокацию в Е. Пусть ориентация регулярно построенной части пластинки такова, что в ней приблизительно выполняется условие отражения Брэгга (это условие в тонкой пластинке заметно ослаблено). При прохождении через такой образец в результате дифракции падающий электронный пучок разделяется на пучок, прошедший прямо, и на ряд пучков, отклонившихся под разными углами. Предположим, что один из таких пучков значительно интенсивнее других, В этом случае мы имеем двухлучевой сигнал. Пусть в совершенной части пластинки интенсивность падающего пучка делится почти поровну между проходящим и рассеянным пучками, В местах дислокаций плоскости решетки отклоняются от идеальной ориентации. Допустим, что условия дифракции таковы, что решетка справа от дислокации имеет ориентацию, удовлетворяющую условию Брэгга. Тогда справа от дислокации интенсивность отклонившегося пучка больше, чем слева, где кристаллическая решетка повернута в противоположную сторону. [c.23] Изображение с ярким полем, возникающее на экране электронного микроскопа, представляет собой теперь усиленную картину распределения интенсивности в прошедшем пучке. [c.23] Из описанной выше простой картины можно также сделать вывод, что дислокации будут видны только в том случае, когда плоскости решетки, дающие изображение, деформированы дислокациями. [c.24] Дефекты упаковки, параллельные плоскости пластинки, как это имеет место в графите, проявляются как области другой яркости. Но они не обязательно должны быть видимы, потому что на некоторой глубине в пластинке никакого контраста возникать не может. Обычно эти дефекты видны как области, которые темнее окружающего фона будучи близко к поверхности, они могут казаться светлее фона. Перекрывание двух дефектов упаковки также может изменить яркость [21]. [c.24] Дифракция электронов в тонкой пленке, содержащей краевую дислокацию в Е. [c.24] Следует обратить внимание на то, что тройной ряд, видимый в правом верхнем углу на рис. II, а и б, полностью вне контраста на рис. 11, в это, очевидно, означает, что три дислокации в этом ряду имеют один и тот же вектор Бюргерса типа Аа. [c.26] В заключение отметим, что все рассмотренные линии соответствуют частичным дислокациям с вектором Бюргерса типа Ла. Полные дислокации образуют ряды частичных дислокаций, разделенные дефектом упаковки. [c.26] Вернуться к основной статье