ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Научно-технические принципы синтеза карбидных материалов в высокочастотном электромагнитном поле из "Плазменные и высокочастотные процессы получения и обработки материалов в ядерном топливном цикле - настоящее и будущее" Из соотношения (7.11) видно, что электрическая мощность, наведенная в образце при выполнении соотношения 5 ( /2 не зависит от частоты она тем больше, чем выше напряжение С/1 и меньше разность диаметров образца и индуктора. Однако повышение С/1 и уменьшение разности О — д) ограничивается электрической прочностью как оболочки образца, так и пространства между образцом и индуктором. [c.340] Очевидно, что режим нагрева, при котором 6 с /2, наиболее благоприятен для процессов термической обработки вещества, в том числе и для реакций синтеза тугоплавких соединений, таких как карбиды, бориды и прочие родственные им соединения. [c.340] Прямой высокочастотный индукционный нагрев шихты оксида и углерода происходит не всегда, поскольку тугоплавкие оксиды металлов часто являются диэлектриками. Однако шихта оксидов с углеродом имеет интегральное удельное сопротивление, характерное для полупроводникового материала, и при определенных условиях может быть нагрета высокочастотными токами, относящимися к диапазону радиочастот. На частотах 1 + 10 МГц борный ангидрид, являющийся типичным диэлектриком, нагреваться не будет. В качестве партнера В2О3 по реакции карбидизации выбирались органические полупроводники, для которых зависимости удельного сопротивления от температуры часто различаются на порядки величины и имеются широкие возможности в выборе партнера для оксида бора и оксидов других элементов в реакциях карбидизации. [c.340] На границе контакта шихты с кварцевым стаканом находится тонкий слой полупрореагировавшей шихты, играющий роль автотигля (по терминологии, предложенной в работе [29]). [c.342] Рассмотрим более детально механизм взаимодействия высокочастотного электромагнитного поля с химически активной загрузкой. [c.342] Вернуться к основной статье