ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Светочувствительность, контрастность, разрешающая способность фоторезистов из "Светочувствительные полимерные материалы " Примеры расчетов и условия проведения испытаний приведены в работе [4]. [c.45] Метод качества поверхности, применяемый в полиграфии, исходит из качественной оценки поверхности экспонированной области и предположения, что правильно экспонированная поверхность резиста после проявления и сушки является твердой и блестящей. Серией различных времен экспонирования при помощи этого критерия может быть установлено минимальное время экспозиции. Оценка качества поверхности субъективна и требует наличия опыта у экспериментатора. [c.45] Метод измерения ширины линий наиболее надежен по сравнению с другими. Он заключается в определении точности воспроизведения маски и визуальной оценки изображения. Обычное измерение щирины линий состоит из серии 6 экспозиций и сравнения изображения на фоторезисте с изображением на маске. Если с помощью визуальной оценки поверхности слоя резиста достигнуто оптимальное время экспонирования, для дальнейшего его уточнения сравнивают ширину линий рельефа и шаблона. Допустимые погрешности ухода ширины линий зависят от размеров изображаемых структур и составляют для макролитографии (полиграфии) 3 мкм, а для микроэлектроники примерно 0,1 мкм. Модификация этого приема состоит в экспонировании через клин оптических плотностей и измерении ширины линий для разных клиньев. Определяют уход размеров в зависимости от времени экспонирования н выбирают количество экспонирующего света, при котором уход размеров минимален (рис. 1.26). [c.45] Л —область допустимых отклонений. [c.46] Принимая во внимание, что в процессе эксплуатации меняется эмиссия источника и может изменяться и качество резиста, необходимо проводить каждодневный контроль времени экспонирования. Для этой цели вполне подходит клин оптических плотностей. [c.46] Для определения времени экспонирования в микроэлектронике используется мира, метод измерения ширины линий и клин оптических плотностей. Применяется стандартная мира, содержащая уменьшающиеся линии и интервалы [4]. [c.46] В соответствии с уравнением (I. 19) при изменении интенсивности источника надо пропорционально изменять время экспонирования (закон взанмозаместнмости) [4]. Однако существует множество случаев- невыполнения этого закона (невзаимозамести-мость). [c.46] Эти величины зависят от первоначальной толщины нанесенного слоя но ним можно рассчитывать время экспонирования т для разных слоев при заданном световом потоке /. [c.47] Предложены характеристики невзаимозаместимости и фотографической широты [72]. Известна методика, определяющая свойства слоя по сенситометрической (характеристической) кривой. Она отвечает зависимости d —1 Я, где d —толщина слоя, Я==//5 — экспозиция, т. е. величина, обратная светочувствительности. Для негативных составов начальный момент возникновения фоторельефа — появление на подложке нерастворимой в проявляющем растворе пленки с минимальной толщиной 0,03 мкм — определяет пороговую чувствительность композиции (Snop). Часто оценивается также светочувствительность при рабочей толщине слоя, обычно 0,5 мкм [So 5 см2/(Вт-с)]. Мерой интенсивности процесса служит коэффициент контрастности tga — тангенс угла наклона прямолинейного участка характеристической кривой (он может принимать значения от единиц до нескольких десятков единиц). Эта методика разработана для определения интегральной и спектральной чувствительности негативных и позитивных фоторезистов. На ее основе получают ряд параметров, характеризующих фототропизм слоя [73]. [c.47] Сенситометрическая кривая отражает кинетику суммарного процесса образования фоторельефа в слое полимера, на которую влияют соотношение спектров эмиссии (как правило, полного спектра лампы среднего или высокого давления) и спектра поглощения слоя, интенсивность фотолитического процесса с участием хромофоров композиции, скорость последующих темповых реакций и т. д. Особенности оценки светочувствительности электронных резистов см. в разделе Vn.31. [c.47] Непостоянство толщины достаточно толстого слоя резиста обычно существенно не сказывается на результатах экспонирования, в то время как у тонких слоев резистов при изменении толщины может резко возрасти дефектность. Кроме того, у тонких слоев при низкой интенсивности света перестает действовать закон взаимозаместимости. Тонкие слои резиста при данной интенсивности требуют большего времени экспонирования, чем предполагаемое для экспонирования толстых слоев (в пересчете на единицу оптической плотности). Это явление объяснено не полностью, в случае негативных резистов его относят за счет влияния кислорода [74]. При прочих равных условиях слишком высокая интенсивность света также может отрицательно влиять на качество воспроизведения. [c.48] Определяющее влияние на параметры рельефного изображения оказывает качество масок, изготовление которых является важнейшим звеном в технологической цепи литографического процесса. В связи с этим контролю их качества придается большое значение и его осуществляют либо ручным способом или с помощью автоматических измерительных систем, устраняющих ошибки визуальной оценки и значительно ускоряющих проверку качества [75]. [c.48] Вернуться к основной статье