ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Физические основы теории активных ансамблей из "Химическая кинетика и катализ 1974" Изложенные выше теории катализа постулировали существование активных центров, но их свойства они описывали лишь качественно, не дав аппарата для экспериментального определения количественного состава и свойств активных центров разных процессов, их абсолютной активности и их общего числа. Эти задачи поставлены в теории активных ансамблей. [c.468] Как уже отмечалось, в реальном кристалле всегда имеются дефекты. Частицы, из которых состоит кристалл, могут, попадая между узлами решетки или выходя на поверхность и достраивая решетку, оставлять вакантные места. Может быть нарушено и стехиометрическое соотношение между частицами (инородные примеси, недостаток или избыток одного из компонентов). Кроме того, структура реального кристалла может иметь ряд макронарушений, трещин, разделяющих его на отдельные микрокристаллические блоки, в той или другой степени скрепленные друг с другом. Эти отклонения от свойств идеального кристалла обнаруживаются по ряду экспериментальных фактов. Так, реальное сопротивление кристалла на разрыв всегда ниже теоретического. Кристаллы ЫаС1 разрушаются при натяжениях 0,4 МПа (4 кгс-см ), в то время как теоретически их сопротивление на разрыв равно ж 20 МПа (200 кгс-см ). [c.468] На наличие блочной структуры указывают и опытные данные по интенсивности отраженных от поверхности кристалла рентгеновских лучей (Ч. Г. Дарвин). [c.469] В простейшем случае оказывается возможным вывести закон распределения активного компонента на поверхности носителя, если предположить, что попадание атомов наносимого металла на ту или иную часть поверхности происходит независимо, т. е. наличие в данной области свободной миграции одного или нескольких атомов металла не изменяет вероятность попадания следующего атома в ту же область. При не слишком большом числе атомов нанесенного вещества это положение физически вполне оправдано, ибо, как выше было показано, линейный размер области миграции имеет порядок 10 см, а силы адсорбционного взаимодействия сказываются на расстояниях около нескольких единиц 10 см. [c.470] Таким образом, при сделанном предположении о независимости попадания атомов в ту или иную область миграции распределение атомов по поверхности блочно построенного носителя под-чиняется закону Пуассона. [c.471] На рис. 92 приведены кривые вероятности образования ансамблей о,з из того или иного числа атомов в зависимости от концентрации у=ра (см. 12 этой главы) нанесенного 1, металла. Как видно, все кривые проходят через максимумы. Следовательно, в зависимости от концентрации на поверхности носителя 0,1 образуются главным образом ансамбли из вполне определенного числа атомов. Это обстоятельство в дальнейшем будет иметь существенное значение. [c.471] Вернуться к основной статье