ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Физические основы теории активных ансамблей из "Химическая кинетика и катализ 1985" Как уже отмечалось, в реальном кристалле всегда имеются дефекты. Частицы, нз которых состоит кристалл, могут, попадая между узлами решетки или выходя на поверхность и достраивая решетку, оставлять вакантные места. Может быть нарушено и стехиометрическое соотношение между частицами (инородные примеси, недостаток или избыток одного из компонентов). Кроме того, структура реального кристалла может иметь ряд макронарушений, трещин, разделяющих его на отдельные микрокристаллические блоки, в той или другой степени скрепленные друг с другом. Эти отклонения от свойств идеального кристалла обнаружены экспериментально. Так, реальное сонротивление кристалла на разрыв всегда ниже теоретического. Кристаллы Na l разрушаются прн натяжениях 0,4 МПа, в то время как теоретически их сопротивление на разрыв равно 20 МПа. На наличие блочной структуры указывают и опытные данные по интенсивности отраженных от поверхности кристалла рентгеновских лучей. [c.479] Для объяснения опытных данных пришлось учесть, что реальное кристаллическое тело состоит из совокупности микрокристаллов, повернутых друг к другу под различными углами. Было найдено, что для большинства кристаллических тел линейная величина этих блоков находится в пределах 10 —10 см. Такой же результат был получен и при исследовании лауэграмм механически деформируемых кристаллов. На существоваиие блоков указывают и фигуры травления на поверхности кристаллических тел. [c.479] Трещины и другие нарушения поверхности резко увеличивают активную в адсорбционном отношении поверхность и, следовательно, увеличивают число адсорбционных и каталитических центров. [c.479] В простейшем случае оказывается возможным вывести закон распределения активного компонента на поверхности носителя, если предположить, что попадание атомов наносимого металла на ту или иную часть поверхности происходит независимо, т. е. наличие в данной области свободной миграции одного или нескольких атомов металла не изменяет вероятность попадания следующего атома в ту же область. При не слишком большом числе атомов нанесенного вещества это положение физически вполне оправдано, ибо, как выше было показано, линейный размер области миграции имеет порядок 10 см, а силы адсорбциоппого взаимодействия сказываются на расстояниях около нескольких единиц 10- см. [c.480] Таким образом, при сделанном предположении о независимости попадания атомов в ту или иную область миграции распределение атомов по поверхности блочно построенного носителя подчиняется закону Пуассона. [c.481] На рис. 111 приведены кривые вероятности образования ансамблей из 1—6 атомов в зависимости от концентрации v — ра (см. 12 этой главы) нанесенного металла. Как видно, все кривые проходят через максимумы. Следовательно, в зависимости от концентрации на поверхности носителя образуются главным образом ансамбли из вполне определенного числа атомов. Это обстоятельство в дальнейшем будет иметь существенное значение. [c.481] Вернуться к основной статье