ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Влияние термической обработки на электропроводность селенидов мышьяка из "Химия стеклообразных полупроводников" Цифры у прямых обозначают режим термической обработки согласно табл. 2. [c.26] На рис. 23 и в табл. 2 приведены результаты измерения температурной зависимости электропроводности стеклообразных сплавов АзЗе, полученных в различных режимах синтеза и охлаждения. Проводимость стеклообразного АзЗе при комнатной температуре практически не изменяется при изменении режима синтеза и закалки и значения —1 о 2о°с (12,9—13,3) лежат в пределах точности измерений проводимости. Удовлетворительная сходимость значений электропроводности на двух параллельных образцах (рис. 23) свидетельствует о воспроизводимости состояний АзЗе, полученных в различных режимах синтеза и охлаждения. Воспроизводимость электропроводности различных состояний АзЗе, возможно, обусловлена тем, что АзЗе, как и АзгЗез, является индивидуальным соединением. [c.27] Появление в составе стекла пространственно различающихся структурных единиц — тригональных АзгЗез и цепочечных SeSe2/2 — приводит к нарушению периодичности валентных связей. Значение Ig при этом снижается. При медленном охлаждении расплавов (сплав Л Ь 4, табл. 3), по-видимому, равновесие (3) практически полностью успевает сместиться вправо. [c.30] Цифры у прямых обозначают режим тер мической обработки согласно табл. 4. [c.30] Электропроводность и микротвердость стеклообразных сплавов состава AsSe2o полученных в различных режимах синтеза, представлены в табл. 5. [c.31] У составов 1, полученных в режиме очень медленного охлаждения (0,5° в минуту) и дополнительно отожженых при 180° С, сравнительно низкие значения энергии активации электропроводности е, и стерического фактора Ig обусловлены разрывами циклов и колец избыточного селена, некоторым упорядочением структуры стеклообразного селена, предшествующим образованию его гексагональной модификации. У составов 2, полученных также в режиме медленного охлаждения, но без дополнительного отжига, получены более высокие значения е, и Ig (sa= 1,80 эв, lg =—2,5). Остальные составы охлаждались в режиме закалки на воздухе. У составов 3, 4, полученных закалкой на воздухе от 700° С, наблюдается дальнейшее повышение энергии активации электропроводности и Iga Значение Ig , близкое к нулю, свидетельствует о сквозном характере проводимости. Близкие значения и Igag получены для жидкого и закаленного стеклообразного селена. Следовательно, у стеклообразных сплавов АзЗего. полученных в режиме закалки на воздухе от 700° С, электропроводность определяется структурными особенностями жидкого и закаленного стеклообразного селена. При температуре 700° С кольцеобразные молекулы селена (See) в значительной степени разрушены тепловым движением, и образующиеся селеновые нити и цепочки способствуют возникновению сквозной проводимости. [c.31] При увеличении времени выдержки стеклообразных сплавов AsSe2o при 500° С до 18 ч (состав 12) получено состояние стеклообразного сплава, близкое к составу Л Ь 1. Понижение энергии активации электропроводности до 1,61 эв и заниженное значение Ig р свидетельствуют о разрывах колец и циклических образований селена, происходящих в предкристаллизационный период. Кристаллизации селена, однако, при этом не происходит. [c.33] Таким образом, свойства стеклообразного сплава АзЗего уже полностью определяются структурными особенностями избыточного селена. Однако, в отличие от элементарного стеклообразного селена, значительные изменения режима синтеза и охлаждения стеклообразного сплава AsSeao не приводят к существенному изменению параметров электропроводности. [c.33] Дополнительный отжиг стеклообразных сплавов AsSeao, проведенный как в вакууме, так и на воздухе, в интервале температур 60—300° С также не привел к существенному изменению характеристических величин. При отжиге стеклообразных сплавов в течение длительного времени (до 1000 ч) изменения микротвердости не носили закономерного характера и практически не выходили за пределы погрешности измерения этой величины. Параметры электропроводности, как и при изменении режимов синтеза и охлаждения, изменялись в пределах —IgOjo 1 16 энергия активации электропроводности составляла 2—3 эв. Причем эти изменения параметров электропроводности также не носили закономерного характера. [c.33] Кристаллизации селена при дополнительном отжиге стекол AsSe2o не происходило. Следовательно, добавление к стеклообразному селену 5 ат. % мышьяка приводит не только к значительной стабилизации его свойств, но и практически полностью исключает кристаллизацию селена. [c.33] Вернуться к основной статье