ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Юстировка из "Эмиссионный спектральный анализ атомных материалов" Получение эталонов с высоким разрешением и большой светосилой определяется возможностью изготовления достаточно точных оптических поверхностей и зеркальных слоев, обладаю-пшх высоким коэффициентом отражения и малым поглощением. Возможные значения коэффициентов пропускания Т и отражения г зеркальных слоев, образованных металлическими пленками, ограничены оптическими свойствами применяемых металлов. Значительно более выгодные соотношения между Гиг. можно получить, применяя в качестве отражающих поверхностей многослойные диэлектрические покрытия, которые в последнее время получили широкое распространение и постепенно вытесняют металлические покрытия. [c.169] Многослойные диэлектрические покрытия пластинок эталона Фабри — Перо получили применение в видимой и инфракрасной областях спектра. Применяемые сейчас для нанесения многослойных покрытий вещества обладают в ультрафиолетовой области заметным поглощением, и применение для этой части спектра диэлектрических покрытий в качестве зеркал пока значительно менее эффективно [ ° ]. [c.169] Для получения хорощей интерференционной картины зеркала эталоны должны быть установлены с возможной точностью параллельно друг другу. [c.170] Прн персмешеии) глаза в обратном направлени.ч, т. е. в сторону, где местная толщина эталона становится меньше, центральные кольца будут сужаться и исчезать в центре. Регулированием нажима установочных пружин добиваются того, чтобы изменение диаметра центрального кольца было возможно меньшим. Неподвижного центрального кольца можно добиться только при очень высоком качестве поверхностей. Изменение толщины эталона на одну сотую длины волны сопровождается заметным изменением интенсивности света в центре и может быть обнаружено глазом. Чувствительность глаза к изменению диаметра кольца тем выше, чем меньше ширина кольца, чем оно уже . [c.171] Поэтому пластинки эталона Фабри — Перо с более высоким коэффициентом отражения могут быть отъюстированы лучше и качество поверхности может быть более точно проконтролировано. [c.171] Описанный способ пригоден для юстировки эталона небольших толщин, пока угловые расстояния между центральными кольцами еще значительно превышают разрешающую способность глаза. Для юстировки более толстых эталонов применяются другие методы, подробно описанные в [ ]. [c.171] При выборе толщины эталона следует иметь в виду, что ее увеличение приводит к росту разрешающей силы при одновременном уменьшении постоянной эталона. В каждом конкретном случае толщина эталона должна обеспечивать достаточную разрешающую силу и отсутствие переложений, мешающих исследованию структуры линии. Иногда необходимость получения достаточной разрешающей способности заставляет выбрать толщину эталона такой, что структура исследуемой линии оказывается шире постоянной эталона, и структуры, даваемые соседними порядками, частично перекладываются. Толщину эталона в этом случае подбирают так, чтобы исследуемые компоненты линии не накладывались на другие компоненты. [c.171] ОСИ ординат — порядок интерференции к, к + , к + 2 я т. л. Рассчитывается положение компонентов для какой-либо заданной толщины эталона и откладывается по вертикали, соответствующей выбранной толщине эталона, считая, что расстояние между горизонталями равно постоянной эталона ЛХ. [c.172] Для того чтобы это условие выполнялось для ряда углов ф, т е. для того чтобы в результате прохождения света через сложный эталон образовалась система колец, толщины двух составляющих эталонов должны относиться как целые числа. [c.172] Число и интенсивность дополнительных максимумов определяются соотношением толщин эталонов и коэффициентом отражения зеркал. Отношение толщин следует выбирать не очень большим, иначе интенсивность дополнительных максимумов, лежащих рядом с главными, будет велика. [c.173] Большая контрастность, большая область дисперсии и высокая разрешающая сила являются несомненными достоинствами сложного эталона ). Наряду с этим, ему присущи недостатки, заставляющие пользоваться сложным эталоном только в крайних случаях. Интенсивность в максимуме сильно зависит от коэффициента поглощения светоделительных слоев и быстро падает с увеличением его. Так, например, при коэффициенте отражения всех слоев г = 90% и коэффициенте поглощения х = 5% пропускание сложного эталона в максимуме всего т = 6%. Поэтому применение сложного эталона требует либо очень чувствительного приемника, либо большой яркости источника. Появление мало поглощающих диэлектрических покрытий расширило возможности применения сложного эталона. [c.173] В большинстве сложных эталонов оптическая толщина подгоняется изменением давления в одном из составляющих эталонов. [c.174] Вернуться к основной статье