ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Электронно-дырочный переход и его практическое значение из "Физическая химия полупроводников" Если два участка одного кристалла легированы примесями, способными создать различные проводимости, то граница между этими участками будет обладать весьма интересными Ьвойствами. Прежде всего представим себе, что один участок может быть искусственно отделен от другого. Очевидно, сделать это можно, лищь нарушив непрерывность кристаллической решетки. В подобном случае мы имели бы состояние кристалла, изображенное на рис. 27, где кружками обозначены дырки, соответствующие атомам индия (3 валентных электрона, как и для бора). Черные точки обозначают электроны, соответствующие атомам сурьмы (5 валентных электронов, как и у фосфора). [c.45] Теперь вернемся к монокристаллу (см. рис. 27, б) с обеих сторон воображаемой границы налицо искусственная нейтрализация электронов и дырок, а значит произошла поляризация этой границы относительно бывшего ранее нейтральным кристалла. Со стороны р (индий 1п ) мы имеем некомпенсированные отрицательные пространственные заряды, а со стороны п (сурьма 8Ь+)— положительные некомпенсированные пространственные заряды. Это зона, лишенная зарядоносителей, но поляризованная, называется зоной электронн о-д ы-рочного перехода. [c.45] Схема эта соответствует схеме фотоэлемента в режиме разомкнутой цепи, в которой разность потенциалов определяется предельным значением тока, проходящего через малое внутреннее сопротивление р — -перехода. [c.47] На рис. 28, а изображен р — -переход, основанный на схеме коллектор — база. Аналогия этой схемы и схемы рисунка 27, г показывает, что она работает как выпрямитель, действующий в обратном направлении и пропускающий ток, которым можно вообще пренебречь. [c.48] На рис. 28, б дан р — и-переход эмиттер — база аналогия этой схемы со схемой (см. рис. 27, г) указывает, что она работает как выпрямитель, действующий в прямом направлении и пропускающий мощный ток. [c.48] что работа транзистора зависит от продолжительности существования неосновных носителей (дырок в -областях, электронов в р-областях) до их рекомбинации. Именно необходимость продлить срок жизни носителей и привела к прогрессу в технологии очистки германия и кремния и кристаллизации этих материалов без дислокаций. Отметим, что в транзисторе р-п-р наибольшее значение имеют положительные дырки. И, наоборот, в транзисторе п-р-п, работа которого может быть легко выведена из предыдущего, это место займут электроны, подвижности которых выше. [c.49] Поэтому такого рода приборы интересны в области повышенных частот. [c.49] Явление р — -перехода и его применение теоретически возможно в нестехиометрических полупроводниках, но очень малые величины подвижности носителей не позволяют вести за ними наблюдение. [c.49] Вернуться к основной статье