ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Классификация оборудования ХОГФ функциональных слоев ИМС из "Мир электроники технологии микроэлектроники Химическое осаждение из газовой фазы" Однако наиболее часто оборудование ХОГФ функциональных слоев ИМС классифицируют по типу системы осаждения (типу реактора) [12]. Хорошая система ХОГФ должна обеспечивать не только требуемые свойства пленки (ФС), но и высокие показатели по технологической производительности, надежности, ремонтопригодности при приемлемой (конкурентоспособной) операционной стоимости обработки одной пластины. [c.55] Во все современные конструкции систем ХОГФ включена опция проведения автоматической процессной очистки реактора после проведения операции осаждения либо плазмохимическим травлением [13] с помощью разрядной системы, установленной в реакторе, либо травлением потоком ХАЧ, поступающим в реактор из автономного источника [14]. Автоматическая процессная очистка позволяет увеличить ресурс работы оборудования до регламентной ручной очистки с разборкой оборудования и минимизировать привносимую дефектность на обрабатываемые пластины. [c.55] Реакторы ХОГФ функциональных слоев ИМС конструируются в соответствии с формами подачи энергии и газов для каждого вида используемой химической реакции и конкретного технологического применения. Системы ХОГФ могут классифицироваться по следующим признакам (рис. 3). [c.56] Алгоритм обозначения оборудования ХОГФ, согласно предложенной классификации, приведен в табл. 4. Как показывает анализ литературы [2—8,12], исторически для формирования ФС ИМС наибольшее распространение получали системы ХОГФ, представленные на рис. 4. [c.59] Обозначается количество одновременно обрабатываемых в реакторе (реакторах) установки пластин BW - с групповой обработкой SW — с поштучной обработкой. [c.62] Обозначается режим обработки пластин NT — с непрерывной обработкой DS - с дискретной обработкой. [c.62] Обозначается область рабочего давления установки АР - атмосферное давление RP - пониженное давление. [c.62] Обозначается распределение температуры для каждого реактора W — с холодной стенкой WW — с теплой стенкой HW — с горячей стенкой SHW - с супергорячей стенкой. [c.62] Обозначается способ дополнительной активации процесса или реагента в реакторе РЕ и PER — плазменная активация соответственно процесса и реагента PhE и PhER - фотонная активация соответственно процесса и реагента HDP и HDPR - активация плазмой высокой плотности соответственно процесса и реагента. [c.62] Это позволяет получать пленки указанных материалов с низкими механическими напряжениями и высокой адгезией. Несмотря на низкие скорости осаждения и трудности обеспечения высокой равномерности толщины осаждаемых пленок по партии пластин, групповая обработка пластин и возможность монтажа нескольких одинаковых реакторов на одной установке обеспечивают приемлемую технологическую производительность такого оборудования. [c.63] Кроме того, при пониженном давлении с помощью электродной или безэлектродной разрядных систем можно легко зажечь плазму внутри реактора и провести его плазмохимическую очистку с использованием более безопасных реагентов по сравнению с IF3, например F , SF и F . Применение вакуумных систем с ловушками и скрубберами выхлопных газов после насосов также повышает безопасность эксплуатации реакторов ХОГФ пониженного давления по сравнению с реакторами атмосферного давления, но несколько снижает их технологическую производительность из-за необходимости периодической откачки реактора. Для увеличения производительности одинаковые реакторы колпакового типа также могут объединяться в составе многокамерной установки ХОГФ. [c.64] Плазменная активация процессов осаждения может быть осуществлена с помощью электродной и безэлектродной разрядных систем в оборудовании на базе трубчатых и колпаковых реакторов ХОГФ пониженного давления. [c.65] Однако наиболее конструктивно простыми и распространенными представителями оборудования ХОГФ с ПА процессов осаждения являются установки типа S H BW DS RP PPSR RES WPE ( m. табл. 4) на базе планарного реактора с емкостной (емкостно-связанной) плазмой с групповой обработкой пластин и с расположенными внутри камеры двумя дисковыми плоскопараллельными электродами, на один из которых подается ВЧ мощность, а на другом, обычно заземленном электроде-подложкодержателе располагаются обрабатываемые пластины (рис. 4, г). [c.65] Двойная частота применяется для независимой настройки скорости осаждения (на нее влияет в основном высокая частота) и свойств осаждаемой пленки (на нее влияет в основном низкая частота). Нагревание пластин обычно осуществляется резистивным нагревателем, расположенным внутри электрода подложкодержателя (в случае неподвижного электрода) или под ним (в случае вращающегося электрода). [c.66] Указанные факторы привели к созданию новой серии оборудования ХОГФ для реализации низкотемпературных процессов осаждения при субатмосферном и низком давлении с возможностью плазменной активации и очистки с компьютерным управлением и контролем режимов осаждения и очистки, а также работы устройств перемещения, ориентации и установки пластин. [c.66] Вернуться к основной статье