ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Быстрый рост кристаллов из "Минеральные удобрения и соли" Другой особенностью этого процесса является существенная неоднородность концентрации кристаллизанта в растворе. Вблизи поверхности быстро растущего зародыша степень пересыщения ниже, чем в среднем в растворе. Необходимо учитывать, что поверхность ионного кристалла оказывает определенное воздействие на близко лежащие слоя раствора, причем сила их связи может быть весьма существенной. Эти слои в результате становятся менее подвижными, а диффузионные потоки, направленные на выравнивание концентрации кристаллизанта в растворе, в этих слоях тормозятся. Поэтому процесс быстрого роста кристаллов при массовой кристаллизации протекает, как правило, во внешне диффузионной области. Для уменьшения влияния этого фактора процесс массовой кристаллизации вещества необходимо вести при интенсивном перемешивании раствора. [c.50] Быстрый рост кристаллов обеспечивается различными путями. Во-первых, происходит адсорбция отдельных ионов на активных центрах поверхности, которыми, в большинстве случаев, являются различные поверхностные дефекты кристаллической решетки во-вторых, зародыши кристаллов сталкиваются в растворе с ассоциатами, которые, уплотняясь под действием поверхностных сил кристалла, образуют новые кристаллические блоки в растущей частице в-третьих, возможны соударения зародышей, образование фазовых контактов по механизму, описанному в предыдущей главе, с последующим заращиванием полостей между контактами. [c.50] Большое влияние на скорость роста кристаллов оказывают примеси. Объяснение этому следует искать в принципе Гиббса — Кюри —Вульфа, согласно которому скорость роста отдельных граней зависит от их поверхностной энергии. По-видимому, в кристалле развиваются грани с наименьшей поверхностной энергией. По данным Шубникова [45] прн 293 К в огранке кристаллов квасцов наибольшую площадь имеют грани (111), затем (100) и наиболее слабо развиты грани (ПО), а при 303 К эта последовательность имеет вид (111)— -(110)— -(100). Включение посторонних примесей в растущий кристалл вызывает понижение поверхностной энергии, причем величина адсорбции примеси и следовательно снижение энергии на гранях с разными индексами будут, очевидно, различными [46, с. 400]. В результате адсорбции примесей меняется не только скорость роста кристаллов, но и их габитус. Более подробно этот вопрос будет рассмотрен в следующем разделе. [c.51] В процессе массовой кристаллизации возможно, конечно, возникновение отдельных кристаллов более или менее правильной формы (рис. 2-3), однако в основном образуются кристаллические сростки (агрегаты). Подобная группировка кристаллов может быть закономерной и незакономерной сростки, полученные в последнем случае, называют кристаллическими группами [46, с. 191]. Закономерные срастания характеризуются либо параллельным расположением сросшихся кристаллов (так называемые кристаллические щетки рис. 2-4), либо непараллельной, но вполне определенной ориентацией относительно друг друга. К типу кристаллических щеток относятся дендри-ты (рис. 2-5). Группы из двух или нескольких закономерно, но не параллельно ориентированных друг относительно друга кристаллов называются кристаллическими двойниками, тройниками и т. д. [c.51] Вернуться к основной статье