ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Свечение газов. Свечение жидкостей. Свечение жёстких растворов. Свечение твёрдых веществ О простейших моделях излучателей из "Фотолюминесценция жидких и твердых веществ" Наконец, встречаются кристаллы, которые, новидимому, одновременно обладают свечениями обоих видов. [c.33] Если предельно упростить сложные процессы, лежащие в основе свечения активированных кристаллов, и выделить лишь самые основные его черты, то можно дать некоторую приближённую схему кинетики этого свечения. При построении схемы исходят из следующих основных свойств свеченпя. [c.34] Перечисленные свойства с несомненностью указывают на рекомбинационный характер свечения активированных кристаллов. Для его истолкования привлекаются современные представления о свойствах твёрдого тела— изоляторов и полупроводников. [c.34] Из теории атома известно, что атом может находиться в различных энергетических состояниях, отвечающих тем или иным положениям электронов каждое состояние характеризуется определённым уровнем энергии. В любой момент времени одни уровни атома заполнены эле] тронами, другие свободны. То или иное энергетическое состояние атома определяется распределением его электронов по уровням его возможных состояний. У невозбуждённых атомов электроны находятся на нижних уровнях, а у возбуждённых—на более высоких. [c.34] При соединении атомов или ионов в кристаллическую решётку все уровни каждого иона распадаются под действием остальных ионов на огромное число тесно расположенных подуровней, которые образуют практически непрерывную, более или менее широкую полосу возможных энергетических состояний. Таким образом, отдельному уровню дискретной частицы у частиц, образующих кристаллическую решётку, соответствует целая полоса или зона возможных энергетических состояний. Все одинаковые ионы находятся в кристалле в одинаковом состоянии и их верхние соответственные зоны сливаются, распространяясь на весь кристалл, который образует как бы одну большую частицу. [c.34] Заполненные зоны в кристаллах располагаются ниже, зоны проводимости— выше. Возбуждение может перенести электрон из нижней заполненной зоны в верхнюю зону проводимости после этого электрон приобретает свободу передвижения по кристаллу. [c.35] В кристаллах, включающих активатор, около частиц активатора появляются новые зоны возможных состояний, соответствующие активатору эти зоны но распространяются на весь кристалл и имеют лишь местное значение, так как частицы активатора находятся далеко друг от друга. Введение активатора приводит также к появлению местных (локальных) уровней, расположенных ниже полосы проводимости и выполняющих роль потенциальных ям для электронов, движущихся по полосе проводимости. [c.35] В том случае, когда поглощение происходит в основном вепз,естве в иепо средственной близости от ионов активатора, образуется возбуждённый поло кительный центр, энергетическое состояние которого характеризуется местным уровнем, связанным с активатором. Это состояние центра сохраняется до момента его рекомбинации с одним из элот тронов, опускающихся из полосы проводимости. [c.36] Модель квадруполя используется при рассмотрении так называемых запрещённых переходов, например при самостоятельных переходах молекул из метастабильного состояния в нормальное. [c.38] М а г н и т н ы й д и п о л ь представляет собой элементарный двухполюсный магнит при изменении его момента также возникает излучение [81, 96]. Вследствие того, что величины магнитных моментов молекул обглчно очень малы, вероятности переходов молекул из одного энергетического состояния в другое при изменении их магнитных моментов оказываются ничтожными. [c.38] Поглощательная и излучательная способности молекул — магнитных диполей по порядку величины близки к поглощательной и излучательной способности квадруполя. Модель магнитного диполя отличается от квадруполя распределением излучения в пространстве (рис. 6,-3) и поляризацией излучения—см. 20 модель применяется для описания некоторых случаев метастабильных состояний молекул [512, 515, 518]. [c.38] Вернуться к основной статье