ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Электропроводность полупроводников и ее температурная зависимость из "Структура и симметрия кристаллов" Здесь и ниже для упрошения опенки предполагается, что возможной температурной зависимостью эффективной массы можно пренебречь. Формула (10.56) действительна для невырожденных полупроводников, поскольку предполагает сушествование электронного или дырочного газа. [c.260] Приближение собственной проводимости к температурной области 1 (рис. 10.9) делает нормальную работу полупроводниковых приборов невозможной (за исключением полупроводниковых термоэлектрогенераторов). Это фундаментальное ограничение связано с щириной запрещенной зоны. Поэтому работа электронных приборов и устройств на основе полупроводниковых материалов в указанной области отличается пониженной надежностью. Это ограничение привело к уменьщению применения германия по сравнению с кремнием, имеющим больщую щирину запрещенной зоны, хотя подвижность носителей в германии выще. [c.263] Вернуться к основной статье