ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Контакт металла с полупроводником из "Физика и химия твердого состояния" Из приведенной формулы следует [если заменить в выражении (771) пна Л/ ], что чем меньше степень легирования и чем больше тем больше глубина проникновения в полупроводник электрического поля, вызванного контактной разностью потенциалов. При У/ Л 1В и Л/ я 10 см величина Ь 10см. [c.456] Область полупроводника вблизи контакта представляет собой слой объемного заряда, толщина которого при отсутствии внешнего напряжения выражается формулой (771). [c.457] Вернуться к основной статье