ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Граница раздела твердый диэлектрик — жидкость из "Электрометрия жидкостей" Образование скачка потенциалов на границе твердый диэлектрик — жидкость, как и на границе металл — жидкость, обусловливается наличием заряда на границе раздела фаз, но при этом появляются отличительные особенности [23]. Так, диффузный слой присущ не только жидкости, но и твердому диэлектрику, поверхностный заряд (скачок потенциалов) меньше по сравнению с зарядом на границе металл — жидкость отсутствует перенос на электроды частиц-носителей заряда (если твердый изолятор не очень тонкий) может происходить только миграция ионов в переменном электрическом поле и т. д. [c.40] Как уже отмечалось, ввиду чрезвычайно малой толщины пограничного слоя — один и несколько мономолекулярных слоев — его связанный заряд а можно считать поверхностным. [c.40] На рис. II. 10 представлена схема распределения емкостей на границе раздела фаз и в объеме преобразователя с изолированными электродами. [c.40] Из уравнения (11.36) следует, что активная и реактивная составляющие могут быть найдены путем соответствующих измерений на нескольких частотах. [c.43] В отличие от системы м еталл — раствор емкость двойного слоя на границе твердый диэлектрик — раствор не зависит от включений органических молекул и ионов [23], увеличивается с повышением диэлектрической проницаемости изолятора [см. [c.43] Как и в случае системы металл — жидкость, влияние скачка потенциалов на процесс измерения емкости системы с изолированными электродами начинает сказываться при их сближении. Это в первую очередь проявляется в чр( змерном росте эквивалентной емкости Сз электрической системы между электродами. Внешнее электрическое синусоидальное поле в данный момент способствует у одной из стенок изолятора увеличению потенциального скачка, а у другой — смены картины ориентации [24]. [c.43] В табл. II. 2 приведены экспериментальные величины емкостей бесконтактного преобразователя, свидетельствующие об отсутствии влияния скачка потенциалов (первая серия) и о наличии его (вторая серия). [c.44] В уравнении (II. 37) величины Си Сд и Со определены с учетом так называемой приведенной паразитной емкости С , ком- плексно учитывающей емкость двойного слоя [24, 26]. Эту величину находят аналитическим или графоаналитическим способами по жидкому эталону с известной е (например, ССЦ). [c.44] Таким образом, для определения емкости границы раздела фаз Сд требуется знать величины Сп, С1 и Со, где С1 = /гС . [c.45] Здесь Сэ — эквивалентная емкость преобразователя с иссле- дуемой жидкостью G — активная проводимость преобразователя с исследуемой жидкостью. [c.46] Величину Сп определяли графо-аналитическим способом. Поверхностная емкость Сд возрастает по мере увеличения электрической асимметрии молекул и наличия гидроксильной группы. У воды и этилового спирта она достигает наибольшей величины.. [c.47] Данные рис. II. 16 при низких частотах получены с помощью прибора типа У-592 производства завода Киевприбор , а на высоких частотах — резонансным методом с помощью отдельного резонансного контура слабо связанного с генераторным контуром. В качестве генератора использовали прибор типа ГСС-6. [c.48] Изложенный метод оценки поверхностной емкости можно использовать для исследования процессов, происходящих на границе раздела фаз диэлектрик — жидкость вообще. Знание поведения этой емкости в зависимости от температуры, частоты и некоторых других позволит наиболее достоверно произвести определение диэлектрической проницаемости и проводимости бесконтактным способом. [c.48] Вернуться к основной статье