ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Перенос примесей диффузией из "Тепло- и массообмен при получении монокристаллов" Основные показатели качества полупроводникового материала зависят от концентрации легирующих примесей в материале. Легирование осуществляется введением в расплав соответствующих, примесей, которые в процессе роста поступают в кристалл. Для получения материала с однородными свойствами необходимо, чтобы процесс поступления примесей в кристалл подчинялся определенным требованиям, реализация которых является важной задачей технологии полупроводниковых материалов. [c.70] В равновесных условиях растворимость примесей в расплавленном и закристаллизовавшемся материале различна. Если парциальная плотность примеси в жидкой фазе равна ро, а в твердой — р.,, то отношение рз/ро называется равновесным коэффициентом распределения и обозначается через ко. Этот коэффициент может быть либо больше, либо меньше единицы. Для большинства примесей, применяемых для легирования, ко 1. В последнем случае, если процесс кристаллизации протекает с конечной скоростью Шк, в кристалл поступает лишь часть примесей, растворенная в расплаве. Остальная часть оттесняется от фронта кристаллизации, создавая около него зону с повышенным содержанием примеси. [c.70] Из этого выражения следует, что парциальная плотность примеси на поверхности раздела фаз равна Рпр/ о и не зависит от скорости кристаллизации. В установившемся режиме парциальные плотности примесей. [c.72] По истечении этого промежутка времени наступает стационарный режим, характеризуемый значением эффективного коэффициента распределения, равным единице. [c.73] Вернуться к основной статье