Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English
Электроды из аморфного алмазоподобного углерода могут быть дешевой и потому более доступной альтернативой электродам из кристаллического алмаза. Их проводимость, по всей вероятности, обусловлена не движением свободных носителей в разрешенных энергетических зонах, а перескоками электронов между локализованными точечными дефектами.

ПОИСК





Электрохимия алмазоподобного углерода

из "Электрохимия алмаза"

Электроды из аморфного алмазоподобного углерода могут быть дешевой и потому более доступной альтернативой электродам из кристаллического алмаза. Их проводимость, по всей вероятности, обусловлена не движением свободных носителей в разрешенных энергетических зонах, а перескоками электронов между локализованными точечными дефектами. [c.74]
Кинетические характеристики полученных таким образом а-С Н/Рг электродов исследовали методом потенциодинамических кривых, как описано выше (раздел 6.2). На пленках с достаточно высоким содержанием ( 10 %) получаются качественно такие же кривые с максимумом тока, как и на поликристаллических алмазных (легированных бором) электродах. Реакции окисления и восстановления протекают под смешанным диффузионно-кинетическим контролем и с умеренным перенапряжением коэффициенты переноса невелики (обычно 0,1-0,2) [96, 110]. Добавка платины в а-С Н ускоряет не только реакции, протекающие с участием растворенных реагентов (ионы церия, ферро- и феррициа-нида), но и реакции, в которых принимают участие реагенты, адсорбированные на поверхности электрода (например, тетраметилпорфирин Со [263]). [c.74]
Принщшиально иной способ придания электропроводности аморфному алмазоподобному углероду — это введение в него азота. Такие a- H N пленки осаждаются из плазмы Nj СН [269, 270]. Их проводимость, как отмечалось выше, обусловлена перескоками электронов между локализованными точечными дефектами-ловушками. С ростом отношения N2/ H4 в реакционной газовой смеси как удельное сопротггвление р, так и оптическая ширина запрещенной зоны материала уменьшаются (в работах [269, 270], соответственно, с 3 Ю до 5 10 Ом см и с 1,3 до 0,6 эВ). Одновременно возрастает концентрация ловушек (измеренная релаксационным методом, с наложением возмущающего электрического сигнала) и облегчается протекание электродных реакций в системе Fe( N)g . Последний эффект иллюстрируется рис. 45, на котором отложена зависимость разности потенциалов AEj, пиков тока восстановления Fe( N) и окисления Fe( N)g на циклической вольтамперограмме от логарифма удельного сопротивления пленок р. Как отмечалось выше, чем более необратима реакция, тем больше величина (для обратимой реакции АЕ = 56 мВ). [c.76]
Из этих данных следует вывод о том, что с ростом содержания азота в пленке электронный перенос на границе раздела электрод/раствор ускоряется. [c.77]
Этот материал занимает промежуточное положение между кристаллическим алмазом и алмазоподобным аморфным углеродом [272]. [c.77]
С ростом содержания азота величина АЕр уменьшается до величины 60 мВ, характерной для обратимых реакций. [c.77]
Осаждение пленки аморфного алмазоподобного углерода на кристалл кварца позволило исследовать электрохимические реакции на этом материале методом кварцевой микрогравиметрии [279]. [c.78]


Вернуться к основной статье


© 2025 chem21.info Реклама на сайте