Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English
Наибольшую адгезию, следовательно, можно ожидать, если компоненты поверхностной энергии подложки и тонкого слоя велики. В случае резистов из-за больших значений полярных компонент у и адгезия уменьшается и происходит подтравливание краев в сильноагрессивных (полярных) травильных системах.

ПОИСК





Адгезия резистов к подложке

из "Светочувствительные полимерные материалы"

Наибольшую адгезию, следовательно, можно ожидать, если компоненты поверхностной энергии подложки и тонкого слоя велики. В случае резистов из-за больших значений полярных компонент у и адгезия уменьшается и происходит подтравливание краев в сильноагрессивных (полярных) травильных системах. [c.64]
Этот процесс, вероятно, усиливается взаимодействием полярных водных растворов травителей с поверхностью подложки резиста, которое вызывает отслаивание пленки резиста от подложки К этому же приводит также набухание полимерной пленки (с уменьшением толщины пленки адгезия возрастает) и механическое напряжение в слое пленки. У негативных резистов V = 1,0—2,6 кН/м, в то время как позитивные резисты характеризуются значениями у = 6,0—10,6 кН/м. Значения у обоих типов резистов лежат в интервале 30—33 кН/м [142, 143]. Существуют зависимости между смачиваемостью поверхности полимера и его температурой стеклования 7 с [144]. [c.64]
Детальное изучение адгезии резиста к поверхности диоксида кремния показало [147], что общую проблему адгезии необходимо оценивать комплексно на всех стадиях литографического процесса. [c.65]
Экпериментально определяют стандартное отклонение конкретного элемента рельефа во время процесса [148], эта зависимость и является мерой стабильности всего литографического процесса. Требования к воспроизводимости элементов повышаются в связи с ростом точности совмещения и увеличением плотности схем на кристалле в производстве больших интегральных схем. [c.65]


Вернуться к основной статье


© 2025 chem21.info Реклама на сайте