ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Особенности оценки литографических параметров из "Светочувствительные полимерные материалы" Применение электроно- и рентгеиорезистов, как и фоторезистов, требует оценки их чувствительности G, разрешающей способности и контрастности у- Здесь наблюдаются особенности, обусловленные природой актиничного излучения. [c.237] Обычно кривые чувствительности хорошо воспроизводятся. Как будет показано ниже, в некоторых случаях (прежде всего у позитивных резистов) они не дают полного совпадения с приводимыми в литературе значениями литографической чувствительности, которые выражаются, как правило, в единицах дозы излучения на единицу площади. Параметры чувствительности в этом случае лучше рассматривать совместно с критериями контрастности. Чувствительность и контрастность зависят от свойств и структуры компонентов полимерных резистов химического состава, ММ, ММР, Тс, плотности, средней атомной массы (только для рент-генорезистов) а также от параметров технологического процесса состава проявителя, условий проявления, предварительного и заключительного отверждения. [c.238] Чувствительность, следовательно, определяется как доза излучения, вызывающая полное растворение резиста при данных условиях проявления. Как правило, эта доза не равна наиболее низкому значению, при котором можно растворить весь облученный полимер. В случае использования термодинамически лучшего растворителя [77] облучение может быть проведено меньшей дозой, но при этом возрастает также растворимость необлученного полимера, что часто является причиной технологического брака. Пельц-бауер и Вагнер предложили [78] с целью исключения различий в чувствительности резистов, обусловленных разной толщиной и разной длительностью проявления, использовать стандартные толщину слоя 1 мкм и время проявления 1 мин. [c.240] Условию стандартизации определения чувствительности позитивных электронорезистов в наибольшей степени отвечает методика, разработанная в лабораториях фирмы IBM (США) [79]. Сначала экспериментально подбирают такие условия проявления, чтобы время полного проявления неэкспонированного слоя данного резиста толщиной 1 мкм составляло 1240 с (стандартный режим проявления). Затем регистрируют толщину слоя в процессе проявления резиста, экспонированного разными дозами (рис. VII. 18, а). Из этой зависимости для каждой дозы облучения и времени, соответствующего d — О, находят толщину неэкспонированного слоя резиста расч, зависимость которой от дозы представлена на рис. VII. 18, б. Оптимальная чувствительность Donr определяется из полученной таким образом зависимости графической экстраполяцией к исходной толщине резиста. [c.240] А — кинетические кривые растворения слоя резиста прн разных экспозиционных дозах 6 — зависимость расч дозы нзлучепня, при которой достигается полное проявление соответствующего экспонированного слоя. [c.241] Новая техника определения радиационно-химического выхода сшивания G(X) или деструкции G(S) полимера приводится в разработке фирмы Bell [80]. [c.241] Изменение растворимости при облучении позитивных электронорезистов, в значительной мере определяющей возможности их применения, изучалось применительно к литографии не только экспериментально, но и теоретически [81]. Для некоторых типов позитивных резистов изменение растворимости может изменить их чувствительность на порядок. [c.241] Разрешение, достигаемое на данной стадии литографического процесса, определяется параметрами экспонирующего устройства, свойствами резистов и факторами, влияющими на скорость обработки слоя резиста и образование нужного рельефа. Когда указывается разрешающая способность резиста, необходимо всегда приводить условия, в которых был образован рельеф, прежде всего ускоряющее напряжение, толщину слоя резиста, условия обработки резиста, а в некоторых случаях и последующих слоев [82], и способы измерения ширины линий. Без этих основных данных невозможно сравнивать отдельные материалы и сопоставлять результаты литографических процессов. Ниже перечислены факторы, оказывающие влияние на разрешающую способность электронной (I), рентгеновской (П) и ионной (И1) литографии. [c.241] Материал для литографии (I—III) состав резиста, толщина слоя резиста, 7 с полимерного резиста, коэффициент контрастности резиста, атомный номер элемента, входящего в состав материала подложки (I), толщина подложки (I), чувствительность резиста. [c.242] Технологические факторы (I—III) температура предварительной термообработки, состав проявителя, режим плазменного удаления вуали, способ травления. [c.242] Формирование микроструктур с минимальными размерами менее 100 нм сопровождается дополнительными трудностями. На качество такого изображения влияют энергия и экспозиционная доза щирина линий зависит от степени экспонирования отраженными и рассеянными электронами. Необходимо учитывать слой-ность системы, материал подложки, условия проявления, характер последующих операций [83]. [c.242] Вернуться к основной статье