ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Дефекты слоевых упаковок из "Квантовая химия в материаловедении" ДСУ характерны прежде всего для эпитаксиальных пленок нитридов, широко используемых в оптоэлектронных приборах, причем наибольшая плотность данных дефектов образуется вблизи границ раздела эпипленка/субсграт [23—25]. [c.35] Одной из первых попыток оценить энергетический эффект формирования смешанных (вюртцит/сфалерит) нитридов А1, Ga, In явились расчеты [26] в рамках одномерной модели типа Изинга [27], где энергетические параметры заимствовались из зонных расчетов идеальных кристаллов (глава 1). [c.35] В каждом), что свидетельствует о локальном характере возмущений, вносимьк планарными ДСУ. Наименее вероятно, по оценкам [29], образование ДСУ типа IV, когда дополнительный сфалеритный монослой встраивается между регулярно упакованными слоями матрицы. [c.36] При моделировании упомянутых деформаций [32—34] основное внимание уделялось их воздействию на диэлектрические свойства нитридов. Согласно [32, 33], планарное сжатие—растяжение (в пределах 5 %) для GaN не меняет тип межзонных переходов (прямая ЗЩ в точке Г, рис. 2.2), но величина щели непосредственно зависит от вектора деформации. [c.37] Вернуться к основной статье