Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English
Исследования температурных полей изделий радиоэлектроники, особенно микроминиатюрных, осложняется их малыми габаритами, высокой плотностью упаковки деталей, слабыми температурными сигналами и значительным разбросом коэффициента излучения. ИК устройства, в том числе со световодными каналами передачи излучения из труднодоступных мест, эффективнее контактных датчиков, поскольку контроль является неразрушающим и бесконтактным, диапазон измеряемых температур не ограничен и имеется возможность измерения в большом количестве точек с пространственным разрешением, ограниченным только волновым пределом.

ПОИСК





Радиоэлектроника

из "Неразрушающий контроль Т5 Кн1"

Исследования температурных полей изделий радиоэлектроники, особенно микроминиатюрных, осложняется их малыми габаритами, высокой плотностью упаковки деталей, слабыми температурными сигналами и значительным разбросом коэффициента излучения. ИК устройства, в том числе со световодными каналами передачи излучения из труднодоступных мест, эффективнее контактных датчиков, поскольку контроль является неразрушающим и бесконтактным, диапазон измеряемых температур не ограничен и имеется возможность измерения в большом количестве точек с пространственным разрешением, ограниченным только волновым пределом. [c.333]
Дешифрирование термограмм производит оператор или автоматизированная система. Операторная оценка эффективна при обнаружении дефектов, которые существенно изменяют эталонное температурное поле изделий, например, в результате обрывов, коротких замыканий или изменений номинала. [c.333]
Специалистами фирмы Епсззоп (Швеция) установлено, что интегральные схемы, на корпусе которых отсутствуют локальные перегревы, имеют больший срок службы. Контроль внутренних дефектов микросхем, характеризующихся слабыми температурными сигналами, проводят при снятых корпусах и используют более сложные критерии разбраковки. [c.333]
Дефекты р-п перехода (поверхностная деградация, электромиграция, межметаллические соединения, шнурование тока, мезоплазма) неравномерная плотность тока трещины, газовые пузыри между кристаллом и основанием, неоднородность состава исходного материала дефекты теплоотвода, диффузионной сварки повреждения кристалла обрыв проводов и короткие замыкания. [c.334]
Во многих случаях показателем дефектности является тепловое сопротивление. Перспективно импульсное питание, при котором определяют время тепловой устойчивости и переходную тепловую характеристику. Скрытые дефекты хорошо локализуются на термограммах. [c.334]
Пространственное разрешение достигает 20. .. 50 мкм. Испытания проводят со снятой крышкой в 50. .. 100 информативных точках. [c.334]
Утонение и коррозионный износ проводников некачественная металлизация отслоение проводников. [c.334]
Используют импульсный нагрев электрическим током (в ряде случаев, оптический нагрев). Температурное поле имеет сложную топологию, требуются эталоны. [c.334]
Неправильное подключение элемента в схеме некачественный монтаж неудачное размещение элементов на плате. [c.334]
Тепловой контроль эффективен при проектировании, изготовлении и функционировании узлов. Рекомендуется в массовом производстве однотипных узлов при наличии эталона. Оптимизация ТК состоит в выборе информативных точек, тестового воздействия и подавлении излучательных помех. [c.334]
Локальные утонения непроводящие включения плохие контакты трещины. [c.334]
В случае ТК цилиндрических резисторов снимают четыре профиля по образующей и сравнивают с эталоном. [c.334]
Размер обнаруживаемого дефекта 15 X 15 мкм. [c.334]
Конденсаторы Пробой электролитических конденсаторов замыкания слоев конденсаторов в микросхемах. Контроль осложнен низким уровнем сигнала и наличием излучательной помехи. [c.335]
Проволока Утонения трещины. Используют контактный нагрев электрическим током и бесконтактный СВЧ нагрев. Производительность ТК - до 4 м/мин. Фиксируют изменения толщины проволоки до 20 мкм. [c.335]
Катодные узлы Неравномерность покрытия. Повыщение температуры на 50. .. 60 °С снижает долговечность катода на порядок. ТК в режиме глубокого недокала снижает производственные допуски и исключает рентгенотелевизионный контроль. [c.335]
Высокотемпературные пленочные покрытия Отслоения от подложки неравномерность толщины. Наиболее эффективен нестационарный ТК. Время существования полезных сигналов - до десятков мс. [c.335]
Контроль сварки выводов интегральной схемы (ИС) с контактными площадками печатных плат Несплавление вывода с площадкой расплавление золотого покрытия в межэлектродном зазоре стекание золота на контактную площадку расплавление выводов ИС и появление углублений перегорание вывода и контактной площадки. При стандартном точечном тепловом воздействии температурные отклики бездефектных сварных соединений характеризуются определенными значениями амплитуды и характерного времени теплопередачи. Проблема - разброс излучательных свойств. [c.335]


Вернуться к основной статье


© 2025 chem21.info Реклама на сайте