ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Физико-химические процессы, сопровождающие плавление и кристаллизацию вещества из "Высокотемпературная кристаллизация из расплава" Анализ процессов кристаллизации тугоплавких веществ показывает, что наряду с чисто физическими процессами, определяющими физическую кинетику на фронте роста, важное значение имеет химическая кинетика в расплаве и особенно вблизи фронта роста. О вкладе химичесю1х процессов свидетельствует эмпирическая зависимость скорости выращивания монокристаллов от химического состава кристаллизуемого вещества чем сложнее состав, тем ниже скорость роста. [c.8] Было установлено, что скорость выращивания одноатомных веществ (металлов и элементарных полупроводников) составляет примерно 100 мм/ч двухатомных (оксидов, фторидов, сульфидов и др.) — порядка 10 мм/ч, а многоатомных (гранатов, вольфраматов, молибдатов и др.) — порядка 1 мм/ч. Таким образом, к числу лимитирующргх кристаллизацию факторов относятся не только факторы, обусловленные физической природой (кинетикой на фронте роста и тепломассопереносом), но также факторы физико-химической природы, ответственные за химический состав и реальную структуру монокристаллов. [c.8] Вернуться к основной статье