Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English
Условие (2.6) не учитывает стабилизирующего действия поверхностной энергии. Согласно этому условию, морфологическая устойчшость фронта роста возрастает с увеличением температурного градиента и с уменьшением скорости роста. Существует, однако, критическая скорость роста, выше которой еет место эффект концентрационного переохлаждения.

ПОИСК





Механизмы роста и морфологическая неустойчивость

из "Высокотемпературная кристаллизация из расплава"

Условие (2.6) не учитывает стабилизирующего действия поверхностной энергии. Согласно этому условию, морфологическая устойчшость фронта роста возрастает с увеличением температурного градиента и с уменьшением скорости роста. Существует, однако, критическая скорость роста, выше которой еет место эффект концентрационного переохлаждения. [c.36]
Это рассмотрение позволяет также понять роль температурного градиента. На рис. 23 а, б схематично показаны два реж1гма кристаллизации. [c.38]
что в условиях высокого градиента температуры при одной и той же величине колебаний температуры меньше, чем в условиях низкого значения градиента температуры. То есть градиент температуры, как стабилизируюший фактор, способствует уменьшению переменной составляющей скорости выращивания Об этом свидетельствуют также экспериментальные данные о флуктуации температуры в контейнере с расплавом олова в стационарных условиях (рис. 24). Оказалось, что вследствие естественной конвекции нарушаются стабильные температурные условия. Однако при увеличении осевого градиента температуры это нарушение существенно уменьшается, а в условиях относительно высоких значений температурного градиента вовсе исчезает [40]. [c.38]
Таким образом, если учесть ряд эффектов, ответственных за реальную структуру монокристаллов, а именно, эффект грани , концентрационное переохлаждение и внешние причины нестабильности процесса, влияние которых уменьшается с возрастанием осевого градиента температуры, то можно сделать важный вывод о том, что высокотемпературную кристаллизацию необходимо проводить в высокоградиентном температурном поле. [c.38]


Вернуться к основной статье


© 2025 chem21.info Реклама на сайте