ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Общие условия аналитических расчетов температурных полей из "Высокотемпературная кристаллизация из расплава" Сопоставление конфигурации температурного поля с распределением касательных термоупругих напряжений (рис. 37), рассчитанных по методике [52], свидетельствует о хорошей их корреляции. Эти расчеты показали, что процесс охлаждения монокристаллов также протекает при немонотонном распределении тепловых потоков вдоль поверхности кристалла. Максимум теплового потока находится в пределах расстояния от фронта роста, равного диаметру кристалла. [c.56] Предполагается, что Арад Афон- Уравнение (3.9) решается при граничных условиях первого рода, усредненном коэффициенте поглощения и без учета переноса тепла движущимся монокристаллом. Если пренебречь теплообменом с боковой поверхностью, температурное поле можно считать независимым от оптических свойств монокристалла. [c.57] Особенность выращивания монокристаллов из расплава состоит в том, что в процессе кристаллизации меняется пространственное расположение и число областей с различным агрегатным состоянием исходного материала (шихты), расплава и монокристалла. Очевидно, что существенно меняется и теплообмен с окружающими поверхностями. При этом следует иметь в виду, что в распределение тепловых потоков определенный вклад может внести скрытая теплота кристаллизации. Все это усложняет создание общей физической модели тепломассопереноса [47]. Поэтому целесообразно весь процесс выращивания монокристаллов разделить на отдельные этапы, для которых проще создать физическую модель. Так, например, в методе Багдасарова целесообразно рассмотреть четыре этапа и, соответственно, четыре состояния кристаллизационной системы [58]. Первый этап — состояние системы от момента перемещения контейнера до начала кристаллизации. Второй этап — равновесие в контейнере между исходной шихтой, расплавом и затравочным кристаллом. Третий этап — полное расплавление шихты в контейнере имеется только кристалл и расплав. Четвертый этап — охлаждение выросшего монокристалла. [c.58] В случае метода Бриджмена весь процесс разбивается на восемь зон согласно [59,60. [c.58] Вернуться к основной статье