Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English
Любой макроскопический образец реального кристалла обладает дислокациями. Дислокация, являясь довольно протяженным образованием, вызывает нарушение регулярности решетки лишь в малой окрестности некоторой линии — своей оси. Поэтому локализованные у дислокации колебания имеют вид волн, бегущих вдоль линии дислокации.

ПОИСК





Колебание кристалла с одномерным (линейным) дефектом

из "Физическая механика реальных кристаллов"

Любой макроскопический образец реального кристалла обладает дислокациями. Дислокация, являясь довольно протяженным образованием, вызывает нарушение регулярности решетки лишь в малой окрестности некоторой линии — своей оси. Поэтому локализованные у дислокации колебания имеют вид волн, бегущих вдоль линии дислокации. [c.236]
Таким образом, вдали от оси дислокации амплитуда колебаний обладает характерным экспоненциальным убыванием, подтверждающим локализацию колебаний вблизи дислокации. [c.240]
Первая предельная зависимость (14.20) (для л 1) показывает, что амплитуда колебаний имеет логарифмическую особенность при р- 0. Это связано с тем, что выведенная в длинноволновом приближении формула (14.19) справедлива лишь при р а. Поэтому предельно малое расстояние р, на котором формула (14.19) верна хотя бы по порядку величины, не может быть меньше а. [c.240]


Вернуться к основной статье


© 2025 chem21.info Реклама на сайте