ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы ОСНОВНЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННЫХ СПЕКТРОВ из "Рентгено-электронная спектроскопия химических соединений" В работе [46] в качестве вне1пнего стандарта предложено ис--пользовать линию FIs от LiF, который добавляется к веществу. [c.23] О других попытках использовать линии твердых веществ, добавляемых к изучаемому веществу, сообщается в работах, [47 48] и др. По-видимому, добиться хорошего контакта между изу чаемым и добавляемым диэлектриками не всегда удается даже-при тщательном растирании (49]. Так, исследование [[50] спектров смесей различных веществ — диэлектриков, показало, что-положекШе рентгеноэлектронных s линий двух диэлектриков-в смеси остается тем-же,-что и для чистого вещества. Например, в смеси А1 (ОН) 3 H NasAlFe наблюдаются две линии А12/ и две линии Gis от слоя углеводородов с теми же энергиями,, что у чистых веществ. Отсюда можно сделать вывод, что применение диэлект риков в качестве стандартов для устранения эффекта, зарядки представляется весьма сомнительным, хотя прй особых способах подготовки проб и удачном выборе вещества такой вариант внешнего стандарта полностью не исключен. [c.23] Подчеркнем, наконец, определенную условность значения С15 = 285 эВ. Согласно (1.7)—(1.9) значение свС 15 слоя углеводородов Н9 различных металлах должно зависеть от работы выхода фо этого металла. Действительно, измеренные значение СЬ (59] равны 284,69 эВ для Аи, 284,66 для Рд,, 284,68 для Ад, 284,92 для Си и 285,58 эВ для окисленного Мд Есв относительно уровня Ферми Р(1). Использование любого постоянного значения С15.ДЛЯ калибровки спектров позволяет, как пояснено выше, измерять лишь величины АЯион А св, где Д св определено с помощью линии С1 . [c.25] Наиболее простой способ получения чистых поверхностей веществ —это растирание крупнозернистых образцов в атмосфере нейтрального газа, под слоем спирта или просто на воздухе, если образцы достаточно устойчивы в атмосферных усло-, виях.. , . [c.27] Десятилетний опыт автора настоящей монографии по рентгеноэлектронной спектроскопии свыше 1000 ра1зличных простых и комплексных неорганических соединений показывает, что в большинстве случаев малопонятные результаты обусловлены именно наличием пленки чужеродных веществ на исследуемых соединениях. В связи с этим совершенно необходима проверка соответствия состава поверхностного слоя составу в объеме. Это сравнительно легко провести по данным Р ЭС а именно по отношению интенсивностей разных рентгеноэлектронных линий одного вещества. [c.27] Аппаратурный фактор Г будет пропорционален корню квадратному из кинетической энергии фотоэлектрона Г - / кин, если энергия фотоэлектронов в анализаторе постоянна или 7 кин, если кинетические энергии перед анализатором уменьшаются в постоянное число раз. Расчетные значения г и р приведены. в табл. 1.4. Для определения А, рекомендуется использовать соотношение Л / кнн [69]. Теоретическая зависимость А от khh подробно проанализирована также в [70]. [c.28] Величинами k и ехр (— ДО, точнее, их отношением для двух линий, Обычно пренебрегают (см. подрс 6нее [13], гл. II). Это допустимо лишь тогда, когда кин 400 эВ, поскольку в этом случае обычно больше d. [c.28] Вернуться к основной статье