ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Определение текстуры крупнокристаллических материаАнализ структурных изменений в металлах при деформации и последующем отжиге из "Кристаллография рентгенография и электронная микроскопия" Графически так описать текстуру трудно, так как для этого необходимо четырехмерное пространство. ППФ позволяет указать связь между системой координат образца и кристалла только для идеальной ориентировки. Из-за дискретности индексов плоскостей и направлений описание с их помощью непрерывного распределения ориентаций зерен нецелесообразно. Поэтому ППФ и ОПФ для такой цели мало подходят. ОПФ в какой-то мере позволяет представить непрерывное распределение ориентаций по отношению к вершинам стандартного стереографического треугольника, но только для какой-то одной оси системы координат образца. [c.334] Описание ориентаций более целесообразно проводить с помощью трех углов поворота (эйлеровых углов) относительно осей кристалла, которые приводят систему координат образца параллельно системе координат кристалла. Поворот осуществляют сначала вокруг оси г на угол ф1, затем вокруг нового положения оси л на угол Ф, а затем вокруг нового положения оси 2 на угол ф2 (рис. 13.9). Углы ф1 и ф2 могут изменяться от О до 360°, а угол Ф от О до 180°. [c.334] Теперь ориентировка каждого кристаллита описывается тремя углами фь фг и Ф, которые можно использовать как декартовы координаты для того, чтобы задать положение точки в пространстве. [c.334] Применение ФРО для полного количественного описания текстуры стало возможным после того, как советский математик А. С. Виглин предложил метод ее вычисления (1960 г.), а X. Бунге определил ФРО экспериментально (1965 г.). В настоящее время разработаны способы экспериментального определения ФРО по нескольким (2—4) ППФ, полученным одним методом (на отражение или на просвет). Большинство этих способов требует применения ЭЦВМ. Имеются способы грубой оценки ФРО, которые не требуют применения ЭЦВМ. [c.335] зная ФРО, можно определить анизотропию упругих, пластических, прочностных, магнитных свойств текстурованных поликристаллов. [c.335] Рассмотренные рентгеновские методы анализа текстуры дают представительные результаты в том случае, если в облучаемом объеме находится большое число кристаллитов. Для увеличения числа зерен, участвующих в формировании дифракционной картины, используют, как упоминалось выше, возвратно-поступательное перемещение образца в своей плоскости или колебание его вокруг оси гиниометра. Такой прием оказывается эффективным, если размеры зерен не провышают в поперечнике 100—200 мкм. [c.336] Если же величина кристаллитов превосходит 500 мкм, то сведения о текстуре целесообразно получать, используя дифракцию тепловых нейтронов, глубина проникновения которых в материал достигает 0,2—2 см. Тогда число зерен в облучаемом объеме соизмеримо с тем, которое имеется в образце с размером кристаллитов на порядок меньше, если он исследуется с помощью рентгеновских лучей. Из-за малой глубины проникновения в материал дифракцию электронов применяют для изучения текстур тонких пленок (от 10 нм) и неоднородности текстуры по толщине образца. [c.336] Методы расчета и построения полюсных фигур из данных нейтроно- и электронографии в принципе такие же, как и при применении рентгеновских лучей. [c.336] Знание функции f g) (см. п. 13.5) позволяет построить ППФ для любого семейства кристаллографических плоскостей (hkl). [c.337] Подобная задача может быть решена и с применением стереографических проекций путем измерения двух углов, которые составляют нормаль к плоскости (hkl) с направлением прокатки и поперечным направлением. [c.337] Возможно также построение ОПФ, так как при любом способе определения ориентировки зерна в первую очередь находят, какое кристаллографическое направление в кристаллите параллельно нормали к плоскости образца. [c.337] Если изучаемый материал разнозернистый, то правильнее анализировать не долю зерен, а удельный объем кристаллитов данной ориентации, для чего, кроме ориентировки каждого зерна, следует определять и его размер (плошадь сечения плоскостью образца). [c.337] Указание при построении ограничиться первыми тремя лй-ниями. [c.338] Указание нормировку провести по выражению (13.7 ). [c.338] Смещения Un от дефектов меняются по величине и направлению в зависимости от взаимного положения дефекта и узла п. Кроме того, атомы могут смещаться в одном направлении под действием остаточных упругих напряжений, которые уравновешиваются в объеме всей детали (изделия) или значительной его части. Эти остаточные напряжения возникают в процессе изготовления деталей (ковки, прокатки, шлифования, термической обработки, неравномерного нагрева и охлаждения) и в процессе их эксплуатации. [c.339] Остаточные напряжения достигают иногда величины предела текучести или прочности и вызывают образование трещин при закалке, шлифовании. С одной стороны, растягивающие остаточные напряжения в поверхностных слоях, складываясь с внешними, могут вызывать разрушение деталей в процессе эксплуатации. С другой стороны, создание на поверхности сжимающих остаточных напряжений затрудняет образование трещин и значительно (иногда в 2—3 раза) увеличивает усталостную прочность деталей и узлов. Поэтому понятен интерес к определению величины, знака и распределения остаточных упругих напряжений в деталях и конструкциях неразрушающими методами. На первом месте среди них находится рентгеновский метод, позволяющий определять макронапряжения в тонком поверхностном слое и на небольшой площади. [c.339] Вернуться к основной статье