ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Пайерлсовский механизм пластической деформации двойникованием из "Обратимая пластичность кристаллов" Пайерлсовский механизм пластической деформации двойникованием. По характеру температурной зависимости можно судить о физической природе параметра обусловливающего наличие силы типа силы сухого трения. К существованию такой силы может привести наличие пайерлсовского рельефа (подобный эффект могут дать, например, и стопоры, распределенные с большой плотностью). Сила Пайерлса, являющаяся следствием дискретности решетки и определяемая в конечном счете силами межатомного взаимодействия, всегда привлекала интерес исследователей (см. обзоры [210,211]). [c.98] Активационный объем меняется от 7 = 3,94 10 см = 89а г для 200 К до 7 = 1,82 10 см = 41а й для 163 К. Порядок величины активационного объема получился характерным для пайерлсовского механизма. Сравнение зависимости активационного объема от приложенных напряжений с зависимостями, соответствующими теоретическому рассмотрению [210] для разных модификаций синусоидального аотенциального рельефа [208]. подтверждает метод математического моделирования (см. гл. 2) о том, что форма рельефа Пайерлса для двойникующей дислокации далека от синусоидальной. [c.100] В дефектном кристалле в 8о могут давать вклад упругие поля других дефектов, плотность которых может меняться от кристалла к кристаллу. Действительно, если разброс экспериментальных значений М обычно не превышает погрешность эксперимента, то для 5о этОт разброс в некоторых случаях существенно превыциет ожидаемую погрешность эксперимента. В [209] проводились измерения 5о в кристаллах, заведомо сильно отличающихся друг от друга по исходной плотности полных дислокаций Л п-В качестве примера приведем результаты измерений для двух кристаллов — с минимальной и максимальной плотностями.В первом кристалле Л п 10 см , = 0,29 кгс/см во втором Л 10 см , 5о = = 1,1 кгс/см . Внутренние напряжения от полных дислокаций, равномерно распределенных по кристаллу, должны давать добавку в эффективную силу трения АЗ которая совпадает по порядку величины с экспериментально измеряемым увеличением 5 о в дефектных кристаллах. [c.101] Вернуться к основной статье