ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Экспериментальное исследование двойниковой структуры высокотемпературных сверхпроводников из "Обратимая пластичность кристаллов" Экспериментальное исследование двойниковой структуры высокотемпературных сверхпроводников. Как уже отмечалось, материалы с высокотемпературной сверхпроводимостью часто являются гетерофазными системами с развитой двойниковой структурой, В настоящее время не вызывает сомнений тот факт, что двойниковая структура существенно влияет на сверхпроводящие характеристики этих материалов, К тому же пока не удается получить сколько-нибудь массивных кристаллов с высокотемпературной сверхпроводимостью без развитой двойниковой структуры. Она была обнаружена уже в первых исследованиях материалов с высокотемпературной сверхпроводимостью и стала одним из основных объектов исследований их структуры. Наиболее детально двойниковая структура изучена в материалах с высокотемпературной сверхпроводимостью типа УВа2Сиз07 с, или сокращенно 1—2—3 (подробнее см. обзор [487]). [c.238] Наличие развитой двойниковой структуры зафиксировано и в других материалах с высокотемпературной сверхпроводимостью Сс1—Ва-Си-0 [488], Но-Ва-Си-0 [489], В1-8г-Са-Си-0 [490], Ьа-Ва-Си-О [491] Ке-Ва-Си-О [492], Еи-Ва-Си-0 [493], Оу-Ва-Си-О [494] Ег-Ва-Си-0 [495]. [c.238] Вернуться к основной статье