ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Огранение кристаллов из "Таблицы для определения минералов по физическим и химическим свойствам" Триклинная сингония. К триклинной сингонии относятся точечные группы симметрии С и без элементов симметрии во внешнем огранении кристаллов, хотя пространственная решетка и обладает симметрией. В этой сингонии-любая линия — единичное направление. При установке кристаллов за координатные оси принимают три ребра, которые должны располагаться под углами , близкими к прямым. Геометрическими константами являются аоФЬоФсо аф фу. Подавляющая часть минералов кристаллизуется в центральной группе-симметрии, где все формы — пинакоиды в примитивной группе симметрии все формы — моноэдры. [c.40] Простые и сложные формы кристаллов. Многогранник представляющий собой одежду кристалла, называется формой. Монокристаллы — выпуклые многогранники. В таких многогранниках внутренняя часть представляет собой кристаллическое пространство, а внешняя — среду. Для любого многогранника, в том числе и кристаллического, существует зависимость между количеством граней— г, ребер — р и вершин — в г=р—в+2. [c.40] В кристаллографии равные элементы огранения кристалла при сим.метрич-ных преобразованиях совмещаются. Многогранники, у которых все грани кристаллографически равны друг другу, называются простой формой. В идеальных условиях скорости роста граней одной простой формы равны. Простая форма — геометрический образ, который позволяет описать кристаллографический многогранник. [c.40] Простые формы могут быть закрытыми и открытыми первые полностью ограничивают кристаллическое пространство (куб), вторые частично — с одной или нескольких сторон (моноэдр, диэдр). Равенство устанавливается совмещением при симметричных преобразованиях, поэтому каждая грань обладает некоторой симметрией кристаллографически равные грани обладают одной и той же степенью симметрии. Многогранники конгруэнтные совмещаются путем, параллельного переноса, многогранники энантиоморфные — путем отражения в Р. В энантиоморфных формах различают формы правые и левые, соответственно этому кристаллическое пространство может быть левым и правым. [c.40] Типов простых форм 47, включая энантиоморфные формы (см. рис 40, 41, 42). В каждой точечной группе симметрии 7 типов простых форм. Одна из них общая, грани ее расположены косо к Р и Ь . Кроме кубической сингонии, остальные 6 форм частные. Многогранник, состоящий из кристаллографически неравных граней, называется комбинацией или сложной формой. [c.40] В минералогии важное значение имеет понятие главное направление — это плоскости, параллельные граня.м. Две параллельные грани представляют одно направление. Куб имеет три равных и взаимно перпендикулярных направления. Это значит, что у куба три непараллельные между собой грани, которые совмещаются при симметричных преобразованиях. [c.40] Двойники образуются механическим путем или при кристаллизации в результате слипания индивидов в двойниковом положении. Двойники роста приобретают характерный облик, обусловленный наличием входящих углов, в которых при росте кристалла наиболее выгодна в энергетическом отношении посадка частиц. Поэтому двойники развиваются в плоскости срастания по направ-.лению входящих углов. [c.41] В параллельных сростках индивиды одного вещества находятся в параллельном положении, в таких срастаниях кристаллическое пространство однородно. Между индивидами в параллельных сростках нет границы раздела. [c.41] В эпитаксических срастаниях индивиды разных веществ контактируют так, что их кристаллические решетки приобретают относительно закономерную ориентировку. Плоские сетки, по которым соприкасаются индивиды в эпитаксических сростках, близки по своей симметрии и размерам. Характерный пример эпитак- сических срастаний представляет собой письменный гранит, содержащий около 70% ортоклаза и 30% кварца. [c.41] Двойниковые срастания. [c.41] Облик кристаллов. Внешний вид кристаллов называется обликом, или габитусом. Эта особенность индивидов играет такую же важную роль, как их огранение. Внутреннее строение кристаллического вещества, его анизотропия проявляются прежде всего в облике. При образовании индивиды имеют наибольшую скорость роста в направлении максимальной химической связи. Это приводит к развитию на кристалле граней с наибольшей ретикулярной плотностью. Облик кристаллов пока описывают качественно, иногда отмечают обликовые грани и второстепенные (акцессорные). Выделяют следующие наиболее важные виды облика изометрический, призматический и листоватый. Для более полного описания нередко прибавляют к призматическому облику слова длинно, тонко, коротко и плоско. Индивиды в виде толстых листочков называют табличками, о них говорят облик тонко- или толстотаблитчатый. [c.42] Искажение облика минеральных индивидов. Идиоморфные минеральные индивиды большей частью имеют искаженный внешний вид. Связано это с влиянием условий на рост и огранение кристаллов. Часто форма кристаллов оказывается наиболее чувствительным индикатором, с помощью которого отмечаются ничтожные изменения условий кристаллообразования. Незначительные изменения концентрации в растворе под действием силы тяжести на протяжении 1 см уже отражаются в огранении и растворении индивидов. Искажение облика индивидов во время роста возникает в результате 1) неравномерного притока вещества к кристаллу 2) влияния примесей посторонних соединений в растворе 3) влияния температуры 4) формы затравки (имеются в виду рост двойников и регенерация сколов). [c.42] Раствор, из которого начинается процесс кристаллообразования, по значению концентрации представляет собой векторное поле, обладающее определенной степенью симметрии. Кристаллообразование в изотропной среде, силовое поле которой выражается симметрией шара, представляет абстрактную модель и в природе ее осуществить невозможно. Эта абстрактная модель искажается в первую очередь действием силы тяжести, в результате чего изотропное поле превращается в анизотропное, которое можно выразить симметрией конуса. [c.42] Под влиянием концентрационных потоков на кристаллах возникают верх и низ. Верх кристалла отличается от низа не только развитием форм и увеличением линейной скорости роста граней, но и механическими и, может быть, химическими примесями. На верху кристалла накапливается геологическая пыль — присыпка, мелкие кристаллики и их обломки. [c.43] Низ кристалла всегда значительно меньше содержит механических примесей, что повышает техническое значение этой части кристалла как сырья для ювелирных, оптических и пьезоэлектрических изделий. Искажения облика кристалла и присыпки позволяют ориеятировать кристалл относительно направления силы тяжести. Подобные образования называют минералогическим отвесом. [c.43] Гравитационное поле Земли оказывает влияние и на скорость растворения верха и низа кристалла. Верх кристалла растворяется быстрее по сравнению с нижней экранированной его частью. Это легко проверить на спайных парал-лелепипеидальных обломках галита. При погружении их в воду в первую очередь округляются верхние ребра и грани, в то время как боковые и нижние грани остаются гладкими. При продолжительном растворении в нижней части кристалла появляются углубления, которые свидетельствуют о наличии вихревых (турбулентных) потоков. На природных кристаллах сверху часто видны фигуры растворения и матовый блеск, в то время как нижние грани зеркально блестящие. [c.43] Хуже изучено изменение облика кристаллов с изменением температуры, кристаллизации и пересыщения раствора. А. В. Шубников на искусственных, кристаллах установил, что с уменьшением пересыщения раствора, в котором идет кристаллизация, усложняется форма индивидов и уменьшается в них количество внутренних дефектов. На природных кристаллах это правило выдерживается. Замечена и такая зависимость чем выше температура природного процесса и чем медленнее она падает, тем крупнее образуются индивиды. Это статистическое правило подтверждается тем, что индивиды минералов из коры выветривания значительно мельче индивидов из эндогенных месторождений. В эндогенных процессах минералообразования возрастает величина индивидов-с повышением температуры геохимического процесса и уменьшением скорости кристаллизации. [c.44] Вернуться к основной статье