ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Исследование локальных уровней захвата методом кривых термическою высвечивания История метода кривых термического высвечивания из "Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений" Перрен 11И 1 впервые установил, что кристаллы каменной соли флуоресцируют в ультрафиолетовой области под действием рентгеновых лучей, и измерил спектральный состав этой флуоресценции. [c.51] Для выяснения роли центров окраски в явлениях люминесценции окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений автором была исследована [73, 1201 зависимость световых сумм ультрафиолетовой люминесценции фотохимически окрашенных кристаллов Na l и КС1 от концентрации F-центров. Измерения были произведены при помощи счетчика фотонов. Из больших монокристаллов были выколоты образцы кубической формы объемом в 1 см . Окрашивание образцов производилось либо светом конденсированной А1-искры, либо рентгеновыми лучами при помощи технической трубки с вольфрамовым антикатодом при напряжении 60—80 kV и токе 4 мА. В том и другом,случае для образования равномерной окраски кристалл медленно вращался во время облучения при помощи специального механизма. [c.52] При вычислении N взято округленное значение т)=10 эл/квант. Аналогичное значение -ц взято также в случае Na l, хотя в действительности квантовый выход в спектральной области люминесценции Na l (240 mii) несколько больше. [c.53] Кт выражено в см- , Н — в эв., А— постоянная, принимающая для Na и КС значения соответственно 1,04- 10 (см. е.) и 1,1.10 (см. 9o.)- . [c.53] Измерение коэффициента поглощения К в функции от длины волны производилось при помощи монохроматора двойного разложения и фотоэлектрического фотометра. Установка позволяла пользоваться источником света малой интенсивности и производить измерения со слабо окращенными кристаллами, не вызывая- при этом их заметного обесцвечивания. Расположение приборов в установке схематически изображено на рис. 20, где М — монохроматор, К — кристалл, Z — счетчик фотонов, Ьг — лампа накаливания (12 вольт, 25 ватт), А — источник возбуждения (конденсированная искра или рентгеновская трубка), Р—фотоэлемент, Ьз— источник света для обесцвечивания кристалла (проекционная лам--па 1000 ватт), 1 и 2 — отводы к усилителям. [c.54] Зависимость световых сумм от концентрации Р -центров определялась для вспышки и фосфоресценции. [c.54] В начале затухания После затухания Уменьшение /-центров в /. [c.58] после затухания естественной фосфоресценции кристалл обесцвечивается на 5—9%. После освещения такого кристалла светом в области F-полосы наблюдается вторичная фосфоресценция, которая может быть многократно воспроизведена действием света вплоть до полного обесцвечивания кристалла. Но при этом интегральная световая сумма не превышает при данной концентрации Р-центров общего числа квантов, излучаемых кристаллом при непрерывном действии видимого света (вспьшхки) до полного обесцвечивания кристалла. [c.59] Световая сумма первичной ультрафиолетовой фосфоресценции Na l и КС1 так же линейно зависит от концентрации Р-центров, как и в случае вспышки, но с другим численным значением коэффициента высвечивания, который в случае фосфоресценции составляет 1,04 10 для КС1 и 6,2 10- для Na l, т. е. в 14—-18 раз меньше, чем при вспышке. [c.59] Следовательно, в процессе первичной ультрафиолетовой фосфоресценции один квант излучаемого света приходится на 10 —10 исчезающих при этом Р-центров. Если еще учесть, что первичная фосфоресценция может быть в какой-то мере обусловлена электронами, локализованными не в р-центрах, а на более мелких уровнях захвата, то эффективность свечения относительно концентрации р -центров в действительности еще меньше. [c.59] Далее показано, что относительная концентрация центров окраски различной стабильности сильно зависит от температуры кристалла, при которой производится облучение рентгеновыми лучами. В таблице 10 в колонках а приведены значения оптической плотности D F) в максимуме F-полосы для 4 кристаллов, рентгенизованных при температурах — 85, —75 и +25°С. В колонках в приведены значения D F), измеренные как в колонках а при —185°С для тех же кристаллов после их выдержки при комнатной температуре в течение одного часа. Из таблицы видно, что чем ниже температура, при которой производится рентгенизация, тем менее стабильны образующиеся центры окраски. [c.61] Таким образом, указанные результаты свидетельствуют о наличии в кристалле таких процессов рекомбинации продуктов фотолиза, для которых отпадает необходимость промежуточной стадии — перевода электронов из f-центров в зону проводимости. [c.62] Петров [59] также полагает, что F-полоса не является однородной полосой и считает, что в спектральной области поглощения f центров имеется еще одна несколько более коротковолновая В-полоса (рис. 9). [c.62] Вернуться к основной статье