ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Механизм рекомбинационного свечения активированных щелочно-галоидных кристаллофосфоров Рекомбинационный характер свечения щелочно-галоидных кристаллофосфоров из "Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений" Арсеньева [311] впервые обнаружила, что после рентгенизации щелочно-галоидных фосфоров в коротковолновой ультрафиолетовой части их спектров абсорбции возникает сильный фон поглощения в широкой области, включающей активаторные полосы. Указанный фон Арсеньева правильно приписывала поглощению света решеткой основного вещества фосфора. Однако подробно это явление было исследовано лишь в последние годы в чистых кристаллах щелочно-галоидных соединений, в спектрах которых были обнаружены У-полосы поглощения, возникающие в ультрафиолетовой области под действием рентгеновых лучей. [c.234] К сожалению, в случае активированных щелочно-галоидных фосфоров образование подобных полос под действием рентгеновых лучей до сих пор мало изучено. Но и имеющиеся данные позволяют с достаточным основанием утверждать, что дырочные центры образуются в щелочно-галоидных кристаллах, активированных ионами тяжелых металлов, точно так же, как и в чистых кристаллах. Но наличие примесей, имеющих характерные и сравнительно сильные полосы поглощения, часто перекрывающиеся с К-полосами, приводит к некоторому искажению картины и в отдельных случаях к смещению F-полос по сравнению с их положением в спектрах чистых кристаллов. [c.234] В работах автора и Б. 3. Семенова [275, 282] показано, что помимо полос, возникающих в спектрах поглощения фосфоров Na l — Ni, которые обусловлены атомарными центрами никеля., наблюдается также полоса в более коротковолновой области с двумя намечающимися максимумами при 216 и около 220 mjx (рис. 83). По данным Александера и Шнейдера [75], а также Прингсгейма и сотрудников 177] полосы и имеют в спектрах рентгенизованных чистых кристаллов Na l максимумы при примерно таких же значениях длин волн. Указанные полосы при 216 и 220 mji обнаруживают и в других свойствах большое сходство с V-полосами поглощения. Они, например, подобно У-полосам в неактивированных кристаллах Na l, не возникают также в Na l— —Ni, если окрашивание фосфора производить аддитивным способом путем введения в кристалл электронов извне. [c.234] поглощение в указанных полосах падает, подобно поглощению в У-полосах в случае чистых кристаллов, при обесцвечивании фосфора светом, соответствующим f-полосе, т. е. при рекомбинации свободных электронов с локализованными положительными дырками. Все это позволяет вполне обоснованно отождествить полосы поглощения при 216 и 220 в спектрах рентгенизованных фосфоров INa l —Ni с V - и Уз-полосами, наблюдающимися Б спектрах рентгенизованных чистых кристаллов Na l. [c.234] В спектре может отождествлена л осой поглощения, наблюдаемой в спектре чистых кристаллов КВг. [c.235] Введение в щелочногалоидные кристаллы примеси ионов щелочноземельных металлов благоприятствует образованию дырочных центров захвата. [c.235] Наличие F-полос поглощения в спектрах рентгенизованных щелочно-галоидных кристаллов Na l и КВг, содержащих примеси двухвалентных ионов Са++, отмечено в работе Ф. Н. Заитова и В. Я. Кларка [323], установивших, что в обоих случаях наблюдаются Уа-полосы с максимумами соответственно при 223 и 265 т . [c.236] Идея о рекомбинационном характере послесвечения щелочно-галоидных кристаллофосфоров была высказана С. И. Вавиловым еще в 1933 году [328]. В дальнейшем эти представления были существенно развиты в исследованиях В. В. Антонова-Романовского [317, 329, 330]. Принципиально важные экспериментальные данные, подтверждающие предположение о рекомбинационном характере послесвечения щелочно-галоидных кристаллофосфоров, были получены также в работах И. А.Парфиановича [305,] Ч. Б. Лущика [173, 318] и автора [246]. [c.237] Однако наряду с развитием представлений о рекомбинационном механизме свечения щелочно-галоидных фосфоров в работах ряда исследователей развивалась также идея о том, что фосфоресценция этих фосфоров носит метастабильный характер [237, 331, 332]. На основе представлений о метастабильном характере свечения указанных фосфоров их длительное послесвечение объясняется наличием в центрах люминесценции метастабильных уровней. Переход электронов с этих уровней в основное состояние может осуществиться лишь после их перехода с затратой энергии активации на другой возбужденный уровень, с которого переход в основное состояние не ограничен каким-либо запретом. [c.237] В общем, имеющиеся данные о затухании и кинетике послесвечения щелочно-галоидных кристаллофосфоров приводят к вполне обоснованному выводу о том, что в процессе возбуждения щелочно-галоидных фосфоров электроны локализуются на центрах захвата, которые пространственно отделены от центров свечения. [c.238] Таким образом, рекомбинационный характер фосфоресценции щелочно-галоидных фосфоров можно в настоящее время считать вполне доказанным. [c.240] Вернуться к основной статье