ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Достоинства атомно-абсорбционного метода спектраль- I ного анализа из "Атомно-абсорбционный спектральный анализ" В случае, когда нижний уровень одиночный и, кроме того, достаточно далеко отстоит от остальных (возбужденных) уровней, можно считать Ni равной полному числу атомов N. так как заселенность возбужденных уровней при температурах до 3000° К ничтожно мала (табл. 1). [c.48] Для мультиплетных термов с нормальным расположением подуровней самым нижним является подуровень с минимальным значением квантового числа 1. В этом случае статистические веса = 27+1 для верхних подуровней превышают статистический вес нижнего подуровня. Поэтому может оказаться, что Ыг Мо и наиболее чувствительным в поглощении оказывается переход, соответствующий возбужденному, а не основному нижнему уровню. В качестве примера, иллюстрирующего это обстоятельство, можно указать на резонансные линии алюминия и галлия (табл. 10). [c.49] Для соответствующих пар линий силы осцилляторов примерно одинаковы, однако заселенность уровня при температуре 3000° К в 1,9 раза превышает заселенность основного уровня З А/ , а заселенность уровня в 1,3 раза больше, чем уровня 4 Рч,- Поэтому наиболее чувствительными в поглощении оказываются линии, соответствующие переходам с уровня А/,, что и подтверждается экспериментально измеренными чувствительностями. [c.49] Разумеется, можно применять и фотоэлектрическую схему регистрации с записью, что было использовано Робинсоном [49]. [c.50] В результате экспериментальных исследований, проведенных в указанных выше работах, было установлено, что наиболее чувствительные в поглощении линии часто не совпадают с наиболее интенсивными атомными линиями элементов, применяемыми в качестве наиболее чувствительных в эмиссионном спектральном анализе, в том числе и в пламенной фотометрии. В ряде случаев данное обстоятельство было неправильно истолковано. [c.50] Изменение интенсивности при температурах пламени ИЛИ дугового разряда практически полностью определяется экспоненциальным множителем, поэтому интенсивность излучения быстро падает в короткую область спектра. Таким образом, эмиссионный спектр имеет иное распределение резонансных линий по интенсивности, чем спектр поглощения. Более интенсивными в испускании являются резонансные линии с большей длиной волны, более чувствительные в поглощении линии лежат в коротковолновой стороне от наиболее интенсивной в испускании резонансной линии (или совпадают с ней). Все без исключения результаты экспериментальных исследований подтверждают эту закономерность. В качестве иллюстрации в табл. 11 сопоставлены наиболее чувствительные в поглощении и испускании линии с одним и тем же нижним уровнем. [c.51] Полный список наиболее чувствительных в поглощении резонансных линий всех элементов вместе с величинами сил осцилляторов приведен в табл. 12. [c.51] Для большинства элементов, кроме газов, галогенов и некоторых неметаллов, наиболее интенсивные резонансные линии расположены в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, легко доступных для измерений. На границе с вакуумным ультрафиолетом лежат линии 5е 1960 А и Аз 1890 А, однако, по сообшению Аллана [50], использование этих линий вполне возможно. [c.54] При определении больших концентраций элементов могут быть применены н менее чувствительные линии. [c.54] Впервые на некоторые принципиальные преимущества абсорбционных методов перед эмиссионными методами спектрального анализа указал Уолш [15]. Рассмотрим эти вопросы более детально. [c.55] Общее число наблюдаемых линий в дуговом или искровом спектре чистых веществ, содержащих определяемые элементы в виде примесей, практически определяется суммарным числом линий в спектрах одного или двух элементов, составляющих основу этого вещества. В среднем число линий (атомов и однозарядных ионов) одного элемента в эмиссионных спектрах в области 2000—10 000 А, т. е. в интервале 40 000 см составляет около 1000 [51]. [c.55] Таким образом, в результате существенно меньшего числа линий и меньшей их ширины вероятность взаимного наложения линий при атомно-абсорбционных измерениях в среднем на два порядка ниже, чем при наилучших условиях регистрации эмиссионных спектров. Тем самым проблема наложения посторонних линий на аналитическую линию определяемого элемента, столь существенная при эмиссионном анализе образцов сложного состава, практически совершенно устраняется при атомно-абсорбционных измерениях. [c.56] Небольшие. изменения температуры в излучаюшем облаке резко сказываются на концентрации возбужденных атомов, а следовательно, и на интенсивности аналитического сигнала. [c.57] В абсорбционном анализе существенно число атомов, находящихся в невозбужденном состоянии, которое мало изменяется с температурой среды. Это обстоятельство в значительной мере уменьшает взаимное влияние компонентов образца, а также влияние изменений условий получения поглощающей плазмы на результаты атомного абсорбционного анализа. В этом заключается основное преимущество методов поглощения по сравнению с эмиссионными методами анализа. [c.57] В абсорбционной же спектроскопии величина поглощения определяется заселенностью нижнего, основного уровня, вследствие чего энергия перехода, соответствующего наиболее чувствительной резонансной линии, оказывается совершенно несущественной. [c.57] Благодаря тому же обстоятельству отпадает необхо-цимость учета многочисленных параметров аппаратуры при оценке абсолютных величин поглощения и концентрации атомов в облаке паров. К таким параметрам при эмиссионных измерениях относятся светосила, ширина щели и дисперсия спектрального прибора, чувствительность приемника. [c.58] Это обстоятельство обеспечивает дополнительные по сравнению с эмиссионным спектральным анализом резервы увеличения чувствительности. [c.58] Вернуться к основной статье