ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Свойства оксидов и окисление из "Коррозия и борьба с ней" Оксиды металлов обычно относят к полупроводникам их электропроводимость лежит между электропроводимостью изоляторов и металлических проводников. Электропроводимость оксидов возрастает при небольших изменениях стехиометрических пропорций металла и кислорода, а также при повышении температуры. Существуют два типа полупроводниковых оксидов, а именно, р- и п-типы (р — с положительными переносчиками заряда, п — с отрицательными). В оксидах р-типа изменение стехиометрических соотношений проявляется в отсутствии определенного числа ионов металла в кристаллической решетке оксида, т. е. в существовании катионных вакансий это обозначается знаком . Для поддержания оксида в электронейтральном состоянии образуется эквивалентное количество положительных дырок (т. е. мест с недостачей электронов), обозначаемых знаком . Ион Си в оксиде uaO является положительной дыркой. К оксидам р-типа относятся uaO, NiO, FeO, СоО, ВцОз и СГ2О3. Модель решетки UjO представлена на рис. 10.4, а. При окислении меди катионные вакансии и положительные дырки образуются на внешней поверхности О -оксида. Они мигрируют по направлению к поверхности металла, что эквивалентно миграции Си+ и электронов в обратных направлениях. [c.196] При 10 % Сг скорость окисления снова падает, возможно вследствие образования пленки, состоящей из rjOs, а не из NiO [25а], что меняет скорость миграции ионов иначе, чем описано выше. [c.197] Из уравнения (2) следует, что повышение парциального давления кислорода для полупроводников р-типа должно сопровождаться увеличением концентрации вакансий и дырок на границе кислород — оксид. В соответствии с этим окисление меди протекает быстрее при повышенном давлении Оа [27]. [c.198] Скорость окисления цинка почти не зависит от давления О , так как концентрация промежуточных ионов цинка на границе раздела кислород — оксид очень мала и дальнейшее ее снижение вследствие повышения давления Ог лишь незначительно влияет на градиент концентрации между границей раздела и поверхностью металла, где концентрация в междоузлиях наибольшая. [c.198] Следы примесей, определяющих свойства полупроводников, существенно влияют и на скорость окисления металлов, покрытых полупроводниковыми пленками. С другой стороны, легирующие компоненты, присутствующие в больших количествах (например, более 10 % Сг — N1), оказывают влияние на скорость окисления не только изменяя полупроводниковые свойства пленок, но и путем изменения их состава и структуры. [c.198] Вернуться к основной статье