ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Системы скольжения из "Карбиды и нитриды переходных металлов" Если бы карбиды были ионными соединениями типа Ме+С или Ме С в них отсутствовала бы система скольжения 111 (ПО). Для типично ионных материалов, таких, как LiF, NaF, MgO и Na l, которые также обладают структурой l, характерны основные плоскости скольжения 110 [22, 23] и вторичные 100 [24]. Скольжение же по плоскостям 111 в подобных кристаллах обычно не наблюдается. [c.150] О атомы Ме в плоскости А 111 атомы Ме в плоскости В 1П о атомы С в плоскости X 111 . [c.151] Плоскости (111 в структуре В1 расположены последовательно по мотиву—АХВХ СХ . [c.151] Поскольку в карбидах все же имеет место скольжение по системе 111 (ПО), то можно прийти к выводу, что ионный вклад в карбидах незначителен. Это заключение получит дальнейшее подтверждение в результатах теоретических расчетов зонной структуры (см. гл. 8). [c.152] Системы скольжения в МогС и W были изучены методом визуального наблюдения скольжения вокруг отпечатков Кнупа и Виккерса при комнатной температуре [26—31]. В МогС основной является система 0001 (2110), т. е. скольжение происходит вдоль базисной плоскости. Вторичная система — 1010 (2110) двойниковая система — 1012 (0001) (рис. 69) [26]. В W плоскости скольжения 1100 и возможные направления (0001) и (1120) (рис. 70) [27, 28]. Поскольку отношение с/а в W приблизительно равно 0,976, наиболее плотно упакована атомами вольфрама плоскость ПОО . Интересно отметить, что, как показывают рис. 69 и 70, скольжение происходит вокруг отпечатков индентора микротвердомера, полученных при комнатной температуре [26—31]. Вильямс [25] выполнил аналогичное исследование на Ti . Поскольку движение дислокации— анизотропный процесс, то размер отпечатка, который наблюдал Вильямс, в связи с возникновением линии скольжения обнаруживает некоторую ориентационную зависимость. Применив индентор Тукона (клинообразный), он обнаружил, что в плоскости отрыва 100 микротвердость изменяется по почти синусоидальному закону в зависимости от угла между индентором и направлением [100] в кристалле. Амплитуда ее изменения составляла примерно 8%, и, когда напряжение сдвига по плоскости 111 было минимальным, наблюдался минимум. Таким образом, даже при комнатной температуре возможно некоторое движение дислокаций. [c.154] Вернуться к основной статье