ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Плазменно-сорбционная технология извлечения чистого кремния для микроэлектронных приложений и фторида водорода из синтетических фторсодержащих минералов из "Плазменные и высокочастотные процессы получения и обработки материалов в ядерном топливном цикле - настоящее и будущее" После распада СССР Россия потеряла сырьевую базу микроэлектроники — производство высокочистого поликристаллического кремния из хлоридного кремниевого сырья. Среди разнообразных подходов к воссозданию этой базы было направление, основанное на использовании фтор ид ого кремниевого сырья — Na28iF6. Это направление было реализовано на стадии НИОКР при конверсии атомноэнергетического комплекса СССР. [c.446] Аналогичные реакции протекают при взаимодействии NaHF2 и с другими фторсиланами. Такие побочные реакции уменьшают выход моносилана и производительность процесса. [c.447] Вторую колонну с NaF, в которой улавливают фторид водорода, после насыщения отключают от системы и переводят в режим регенерации нагревают до температуры 350 -Ь 450 °С при пониженном давлении. При этом протекает количественная десорбция НР выделившийся фторид водорода конденсируют в баллоне с запорной арматурой. [c.448] Вернуться к основной статье