ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Электропроводность (U-F)-плазмы из "Плазменные и высокочастотные процессы получения и обработки материалов в ядерном топливном цикле - настоящее и будущее" Этот набор можно, при необходимости, дополнить уравнениями ионизации молекулярных компонентов и более глубокой ионизации атомов урана и фтора. Некоторые физические и химические свойства фторидов урана, являющихся в общем случае компонентами (U-F)-плазмы, приведены в табл. 10.1 они дают возможность прогнозировать поведение потоков (и-Е)-плазмы. [c.492] Это выражение учитывает электрон-ион и электрон-электронные взаимодействия. В [14] электропроводность (U Е)-плазмы оценена с учетом некулоновских взаимодействий электронов. Пайдено, что при температурах 5000 -г 20000 К упругое рассеяние электронов атомами среды является определяющим фактором. [c.494] Сравнительно низкая электропроводность (и-Е)-плазмы в области температур (1- 6)- 10 К объясняется прилипанием электронов к атомам фтора и образованием ионов Р, вследствие чего при таких температурах вклад ионов в суммарную электропроводность выше вклада электронов. При повышении температуры концентрация ионов уменьшается, а вклад электронной проводимости увеличивается. [c.496] В связи с изложенным ясно, что стандартный метод увеличения проводимости (и-Е)-плазмы — добавление легко ионизирующихся добавок, эффективен только нри температурах, превышающих 6000 К, так как при более низких температурах концентрация электронов не возрастает из-за их прилипания к атомам фтора. [c.496] Вернуться к основной статье