ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Теплоемкость тройного полупроводникового соединения типа А2В4С25—ZnSnAs2. Л. И. Бергер, В. В. Тарасов, И. К Щукина из "Химические реактивы и препараты Выпуск 31" Анализ твердых растворов системы сульфид цинка—селенид цинка методом спектров диффузного отражения. Л. И. Бергер., В. М. Петров. [c.520] Измерено спектральное распределение диффузного отражения твердых р-ров системы сульфид цинка—селенид цинка при комнатной температуре. Установлено, что оптическая ширина запрещенной зоны меняется с изменением конц-ции компонентов твердого р-ра по закону, близкому к линейному. Обнаружена зависимость результатов измерений от метода синтеза образцов. Рис. 2, библ. 4 назв. [c.520] Арутюнов, Л. И. Бергер, И. К. Щукина. [c.521] Тройные полупроводниковые соединения с участием р.з.э. Л. И. Бергер, В. Я. Черных, В. М. Петров. [c.521] При комнатной температуре измерена магнитная восприимчивость образцов 18 тройных соединений типа Аг В Сз , Аз1В С4 и А Б С2 . Все образцы оказались диамагнетиками. Рассмотрена корреляция между величиной молекулярного веса и магнитной восприимчивостью однотипных соединений. Табл. 1, библ. 5 назв. [c.521] Статистический метод определения причин выхода из строя образцов полупроводниковых веществ и полупроводниковых приборов. Л. И. Бергер, В. М. Петров, Ю. Л. Фрейдин. [c.522] Предложен статистич. метод анализа причин выхода из строя образцов полупроводниковых веществ и полупроводниковых приборов на основе гауссовского распределения, Метод позволяет проанализировать опытные данные и установить меры, которые следует принять для снижения числа отказов . Отмечается универсальность метода. Библ. 1 назв. [c.522] Теплоемкость тройного полупроводникового соединения типа А2В С2 -2п5пАз2. л. и. Бергер, В. В. Тарасов, И. К. Щукина. [c.522] В интервале температур от 55 до 305°К измерена теплоемкость образцов соединения 2п5пАз2. Кратко описана методика синтеза и контроля фазового состава образцов. Оценена температурная зависимость характеристич. температуры. Табл. 1, рис. 2, библ. 5 назв. [c.522] Вернуться к основной статье