ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Физико-химические основы кристаллизационной очистки тетрагалогенидов кремния и германия. В. А. Молочко, Г. М. Курдюмов из "Получение и анализ веществ особой чистоты" ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ КРИСТАЛЛИЗАЦИОННОЙ ОЧИСТКИ ТЕТРАГАЛОГЕНИДОВ КРЕМНИЯ И ГЕРМАНИЯ. В. А. Молочко, Г. М. Курдюмов. По.пучение и анализ веществ особой чистоты. Горький. Институт химии АН СССР, 1974, с. 116. [c.233] На основании литературных и экспериментальных данных- по диаграммам состояния систем тетрагалогенид кремния (германия) — галогенид примесного элемента проведена классификация примесей, с точки зрения эффективности их удаления при глубокой очистке тетрагалогенидов кремния и германия кристаллизационными методами (направленная и противоточная кристаллизация).. Предложены методы расчета коэффициентов, распределения примесей путем изучения многокомпонентных систем очищаемое вещество-примеси исследовано влияние их совместного присутствия на величину коэффициента распределения отдельных примесей. Табл. 3, рис. 1, библ. 6 назв. [c.233] Методами физико-химического анализа (плавкость, термогравиметрия, рентгенофазовый анализ) изучено взаилюдействие в системах ТеГ4 — МеГ (Ме — Си, Ag, Те Г— С, Вг, I). Построены диаграммы плавкости указанных систем. Определена термическая устойчивость гексагалогентеллурата таллия в интервале температур 235—740° С. Рис. 1, библ. 10 назв. [c.233] Вернуться к основной статье