Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English
На рис. 23 показаны дифракционные лучи в виде конусов, образующих острые углы с вертикалью и пересекающих пленку на высоте h от нулевой слоевой линии.

ПОИСК





Вычисление параметра ячейки вдоль оси вращения кристалла

из "Рентгеновская кристаллография"

На рис. 23 показаны дифракционные лучи в виде конусов, образующих острые углы с вертикалью и пересекающих пленку на высоте h от нулевой слоевой линии. [c.64]
Измерив на пленке высоту h, на которой находится данная слоевая линия по отношению к нулевой слоевой линии, и зная радиус камеры, можно получить величину параметра а. Обычно используют более высокие слоевые линии и измеряют расстояние 2h между двумя симметричными слоевыми линиями выше и ниже экватора. Если кристалл вращать вокруг каждой из его осей а, Ь и с, то можно получить все параметры решетки либо из рентгенограмм качания, либо из рентгенограмм вращения. Последние предпочтительнее, так как на них лучше видны неточности установки кристалла. [c.64]
однако, требуется получить из рентгенограмм качания только приближенные значения. Точные размеры ячейки определяют с помощью калиброванных рентгенограмм по Вайсенбергу. Этот метод будет описан ниже. [c.65]


Вернуться к основной статье


© 2025 chem21.info Реклама на сайте