ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Методы определения распределения фотоэлектронов по скоростям и методы определения порога фотоэффекта из "Электроника" Схема прибора для определения распределения фотоэлектронов по энергиям по методу задерживающего поля. М—металлический слой на внутренней поверхности шара К —гальванометр. [c.59] Если начертить кривые распределения по энергиям или по скоростям в зависимости от отношения данной величины энергии или скорости к той, которой обладает наибольшее число электронов (рис. 13), то опыт показывает, что кривые для одного и того же металла, но для различных частот падающего света совпадают. [c.60] Различно обозначенные на рис. 13 точки относятся к разлпч-иь м V. Эцоргия, которой обладает наибольшее число электронов, равна примерно 0,4 максимальной энергии (определяемой по закону Эйнштейна). [c.61] Другой метод определения Vq—метод его определения из кривой спектральной характеристики по точке пересечения этой кривой с осью абсцисс. Этот метод не обладает боль-щой точностью, так как кривая спектральной харантористики приближается к оси абсцисс чрезвычайно полого. [c.62] Еп(ё один метод определения состоит в подсчёте из равенства /iVg= p. При этом необходимо пользоваться значениями ср, полученными из измерений контактной разности потенциа.пов, п тех же условиях температуры и состояния поверхности катода, при которых надо определить Vg. Метод этот, основанный на законе Эйнштейна, приложим только i металлам. [c.62] Результаты измерения порога фотоэффекта для ряда чистых металлов приведены в миллимикронах в Приложении III. [c.62] Вернуться к основной статье