ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Адгезия резистов к подложке из "Светочувствительные полимерные материалы " Анализ профиля краев при использовании фоторезистов Way oat 1 KodaK [42] показал, что степень подтравливания зависит от [HF] и полярной компоненты поверхностного натяжения, но совсем не зависит от [Н3О] + [142]. Механическое напряжение в слое резистч может быть причиной дефектов из за потери адгезии на поверхности, защищенной резистом [19]. [c.64] Наибольщую адгезию, следовательно, можно ожидать, если компоненты поверхностной энергии подложки и тонкого слоя велики. В случае резистов из-за больших значений полярных компонент Y и адгезия уменьшается и происходит подтравливание краев в сильноагрессивных (полярных) травильных системах. [c.64] Этот процесс, вероятно, усиливается взаимодействием полярных водных растворов травителей с поверхностью подложки резиста, которое вызывает отслаивание пленки резиста от подложки. К этому же приводит также набухание полимерной пленки (с уменьшением толщины пленки адгезия возрастает) и механическое напряжение в слое пленки. У негативных резистов V = 1,0—2,6 кН/м, в то время как позитивные резисты характеризуются значениями 7 = 6,0—10,6 кН/м. Значения у ДЛЯ обоих типов резистов лежат в интервале 30—33 кН/м [142, 143]. Существуют зависимости между смачиваемостью поверхности полимера и его температурой стеклования [144]. [c.64] Детальное изучение адгезии резиста к поверхности диоксида кремния показало [147], что общую проблему адгезии необходимо оценивать комплексно на всех стадиях литографического процесса. [c.65] Экпериментально определяют стандартное отклонение конкретного элемента рельефа во время процесса [148], эта зависимость и является мерой стабильности всего литографического процесса. Требования к воспроизводимости элементов повышаются в связи с ростом точности совмещения и увеличением плотности схем на кристалле в производстве больших интегральных схем. [c.65] Вернуться к основной статье