ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Эвантиоморфизм из "Кристаллизация " Гладкая наружная поверхность кристаллов объясняется некоторой правильностью внутреннего расположения составляющих их ионов, атомов или молекул. Следовательно, при изучении кристаллического состояния всегда необходимо иметь в виду внутреннюю структуру кристаллов. В задачи данной книги не входит подробное рассмотрение этой большой темы здесь будет дано краткое описание понятия пространственной решетки. Для получения подробных сведений следует обратиться к специальным работам, указанным в списке литературы в конце гл. 1. [c.28] Известно, что некоторые кристаллы могут раскалываться (расщепляться) на более мелкие, форма которых имеет точное сходство с формой основного кристалла. Процесс расщепления кристаллов может происходить ограниченное число раз. Исследователи XVni в. Хук и Аюи пришли к выводу, что все кристаллы состоят из большого количества мельчайших частиц, из которых кал дая имеет форму, подобную форме более крупного кристалла. Эта гипотеза сыграла большую роль в развитии кристаллографии как науки и привела к современному понятию пространственной решетки. [c.28] Путем геометрических рассуждений Бравэ (1848 г.) пришел к выводу, что имеется всего только четырнадцать возможных основных типов решетки, которые могли бы дать вышеупомянутую идентичность. Эти четырнадцать решеток классифицируются на семь групп, а эти семь групп соответствуют семи кристаллическим системам (синганиям), перечисленным в табл. 1 и 2. [c.29] Точки (места расположения элементарных частиц) в любой решетке располагаются таким образом, что образуют большое число различных плоскостей, получивших название кристаллографических. Каждая кристаллографическая плоскость содержит различное число точек на единицу площади. Наружные грани кристалла параллельны кристаллографическим плоскостям. Наиболее встречающиеся грани кристаллов — это те, которые соответствуют плоскостям с высокой плотностью точек, или, как она называется, ретикулярной плотностью. Кристаллы расщепляются по определенным кристаллографическим плоскостям. [c.30] Одна группа соединений, которая подчиняется закону Мит-черлиха, представлена формулой М 2804-М 2(504)з 241 20 (квасцы), где М — соответствует одновалентному радикалу (например, К или NH4), а М — трехвалентному радикалу (например, А1, Сг или Ре). Многие фосфаты и арсенаты, сульфаты и селенаты также изоморфны. [c.31] Вещества, способные кристаллизоваться н рязличньте. но химически идентичные формы, называются полиморфными. Хорошо известны диморфные и тримо фные вещества, напри-мер углерод — графит (гексагональный), алмаз (правильный) двуокись кремния — кристобалит (правильный), тридимит (гексагональный), кварц (тригональный). [c.31] Переходы форм от П к И и от IV к V приводят к увеличению объема переходы форм от I ко П и от П1 к IV сопровождаются уменьщением объема. Эти изменения объема часто вызывают трудности при обработке и хранении азотнокислого аммония. Соль может легко разрывать металлический контейнер, если произойдет превращение формы II в форму III. Сушить кристаллы азотнокислого аммония следует в пределах установленных температур, например от 4,0 до 80°С, иначе кристаллы могут раздробиться, если будет достигнута температура перехода. [c.32] Если полиморфные вещества не обладают способностью к взаимному превращению, то кристаллические формы называются монотропными. Например, графит и алмаз являются мо-нотропными формами углерода. [c.32] Вернуться к основной статье