ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Теории адсорбционного слоя из "Кристаллизация " Выражения для критического радиуса двухмерного зародыша, если предположить для простоты, что остров круглый и изменение свободной энергии связано с процессом кристаллизации, могут быть получены таким же способом, как было описано для трехмерного зародыша. Вообще можно предположить, что для того чтобы произошла кристаллизация этого типа, необходима высокая степень пересыщения, но она ниже по сравнению с той, которая требуется для образования трехмерных зародышей в эквивалентных условиях. [c.159] Известно очень мало случаев идеального роста кристаллов — слой за слоем. Обычно в решетке кристалла образуются несовершенства. Посторонние атомы или ионы могут замещать некоторые элементы решетки или же проникать между ними. Некоторые из элементов решетки могут смещаться, образуя в ней вакантные места. [c.159] Вернуться к основной статье