ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Двухуровневая структура алгоритмов оптимизации производства хлора и каустической соды из "Оптимизация производства хлора Диафрагменный метод" ОР — очистка рассола Э — электролиз ЭГ — электролизные газы ВЩ — выпарка электролитической щелочи ВС — вывод сульфата натрия из цикла рассола (Ь 2, 3, 4, 5 — оптимизируемые параметры связи подсистем нижнего уровня (индекс указывает номер параметра и последовательность его расчета). [c.251] В предыдущих главах книги поставлены и решены задачи оптимизации подсистем нижнего уровня, выделены параметры межцеховых связей оптимизируемые на верхнем уровне системы. Решение задач верхнего уровня noi определению оптимальных значений рассмотрено ниже. [c.252] Э—ЭГ (см. рис. 1Х-1). С увеличением температуры процесса электролиза (до1 возможных пределов) затраты в отделении электролиза уменьшаются. С увеличением температуры электролизных газов растут затраты на их первичную переработку (см. гл. IV, V). Вклад отделений первичной переработки электролизных газов в себестоимость выпускаемой каустической соды на порядок ниже затрат в отделении электролиза. Поэтому на первом этапе оптимальные температуры хлор- и водород-газа приняты рассчитанными для подсистемы Э. [c.254] В результате получают значение (ака2304 )опт. Па рис. 1Х-3 приведен пример такого расчета, выполненный для условий производства, оборудованного электролизерами БГК 17—25/730 с графитовыми анодами. Расчеты по алгоритму (IX,7) выполняются периодически. Ориентировочная частота расчетов 1 раз в квартал. При функционировании системы от пересчета к пересчету уточняется их частота. [c.254] Таким образом, дан расчет всех оптимизируемых параметров межцеховых связей нижнего уровня, т. е. определено содержание символа Operat в выражении (1Х,5), для каждого переменного Кроме оптимизируемых параметров через верхний уровень из подсистемы в подсистему передаются целый ряд вычисленных параметров, таких как расходы электролитической щелочи Сдщ, хлор-газа Gxr, водород-газа Gar, значения управляющих воздействий в подсистемах нижнего уровня и т. д., подробно указанных при построении соответствующей подсистемы. [c.255] Вернуться к основной статье