ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Термоэлектрический эффект в невырожденных электронных проводниках из "Физическая химия твердого тела" В данном разделе мы рассмотрим применение теории термо-э. д. с. к ячейкам, включающим невырожденные электронные проводники п- или р-типа (валентные полупроводники и нестехиометрические ионные кристаллы). [c.263] Более подробные выражения для парциальных коэффициентов термо-э. д. с. можно найти из (6.301) для двух моделей электронных дефектов в твердых телах (см. раздел 1.6). [c.265] Поскольку при локализованных электронных дефектах их движение по кристаллу происходит по прыжковому механизму и требует энергии активации, теплоты переноса и можно интерпретировать таким же образом, как и для ионных проводников (см. раздел 6.2). Поэтому в первом приближении Q -и Q + являются параметрами, постоянными для данного вещества. [c.265] Формулы (6.304) и (6.309) заставляют обратить внимание на следующее очень важное обстоятельство. В невырожденных проводниках и ионных кристаллах концентрации электронных дефектов обычно бывают очень малыми по сравнению с числом допустимых состояний [е] 1 или п/Л С1. Поэтому выражения в скобках (6.304) и (6.309) существенно положительны, и коэффициенты термо-э. д. с. для проводников п-типа всегда положительны, а для проводников р-типа всегда отрицательны. Это обстоятельство широко используется для определения знака носителей в полупроводниках и нестехиометрических ионных кристаллах, тем более что техника экспериментального исследования эффекта Зеебека чрезвычайно проста. [c.266] Зависимость коэффициента Зеебека нестехиометрического кристалла от давления неметалла в газовой фазе. [c.267] В области собственной проводимости, где концентрации электронов и дырок близки, происходит диффузия обоих сортов носителей от горячего электрода к холодному, и оба эффекта в значительной степени компенсируют друг друга. Так, если для квазисвободных электронов и дырок пренебречь различием их эффективных масс и подвижностей, при п-=п+ имеем 0 = = + t = t+= /2, и согласно (6.300) 0 = 0. [c.267] Вернуться к основной статье