ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Ориентированный рост галоидных солей щелочных металлов на металлических кристаллах из "Ориентированная кристаллизация" Одним из примеров закономерных срастаний вешеств с различными типами сил связи является эпитаксия солей и металлов. Сушественным затруднением при изучении эпитаксии солей на металлических кристаллах является наличие на поверхностях подложек окисных пленок. К сожалению, в большинстве работ [82—86] не уделялось должного внимания тщательной очистке поверхности металлических кристаллов. В связи с этим отсутствие ориентированного роста могло явиться результатом произвольной ориентировки окисла или отсутствия срастания СО.ЯИ и 01кисла, С другой стороны, наличие эпитаксии не обязательно означает, что закономерное нарастание образуют металл (а не окись) и соль. Первое замечание связано также и с тем, что окисные пленки ряда металлов имеют аморфную структуру второе — с тем, что кристаллические окислы часто отличаются от соответствующих металлов как типом химической связи, так симметрией и размерами элементарных ячеек. Это различие в ряде случаев может не влиять на ориентированный рост окислов на металлах но иметь существенное значение при росте соли на кристаллах окисла. [c.100] При кристаллизации солей из раствора на металлах с гексагональной решеткой (Mg, Zn, d) ориентированный рост наблюдался лишь на поликристаллах Zn независимо от ориентировки различных зерен (рис. 39). Как видно из рис. 39, границы зерен и двойников являются благоприятными местами для образования ориентированных зародышей. Отсутствие срастания Na l с d и Mg можно объяснить существованием неориентированной окисной пленки. Известно, что окись, образующаяся на магнии, в тонких слоях аморфна. Существование аморфного или произвольно ориентированного слоя окислов, ПО-видимому, было причиной отсутствия эпитаксии солей на кристаллах In, Sn, Sb, Ni и Fe. [c.101] Примечание. А — монокристальная пленка с ориентацией (001), получена при эпитаксии металл/Na l Б--монокристальная пленка с - Ориентацией (111), получена при эпитаксии металл/слюда В — травленая поверхность монокристалла Г--плоскость скола монокристалла g Д—-поликристаллическая поверхность Р — способ роста из раствора П —способ роста из пара. При наличин окисной пленки Д не рассчитывалось. [c.103] Как следует из табл. 19, ориентировки галоидных солей на металлических монокристаллах зависят от способа кристаллизации. При конденсации этих солей в вакууме подложки, как правило, параллельны плоскости, содержащей ноны одного знака (111)—-для кристаллов со структурой Na l и (100)—для кристаллов типа s l. При осаждении из раствора у кристаллов со структурой Na l наблюдаются иные ориентации (табл, 19). [c.104] Исследования эпитаксии солей па металлах показывают, что несмотря на различие природы сил связи ориентирующее влияние металлов весьма значительно. Об этом свидетельствует и то, что подложка способна индуцировать рост полиморфной модификации кристаллов осадка, например при эпитаксии RblBr/Ag и s l, sBr/Ag [51, 52]. В первом примере при осаждении из раствора RbBr кристаллизуется в аномальной для него решетке s l в двух последних, наоборот, вместо кристаллов со структурой s l растут кристаллы типа Na l. [c.104] Вернуться к основной статье